MOS gesteuertes Leistungshalbleiterbauelement für hohe Spannungen,申请号DE19944427988-传众专利搜索

发明名称	MOS gesteuertes Leistungshalbleiterbauelement für hohe Spannungen
摘要
申请公布号	DE4427988(A1)	申请公布日期	1996.02.15
申请号	DE19944427988	申请日期	1994.08.08
申请人	ABB MANAGEMENT AG, BADEN, AARGAU, CH	发明人	BAUER, FRIEDHELM, DR., SUHR, CH
分类号	H01L29/74;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739;H01L29/745;H01L29/749;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/73	主分类号	H01L29/74
代理机构		代理人
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