| 主权项 |
1. 一种半导体记忆装置,具备有:升压电位节点,用以输出升压之电位;判定周期控制装置,用来输出具有可控制周期之控制脉波信号,藉以规定对上述之升压电位节点之电位之位准进行判定之周期;位准判定装置,依照从上述判定周期控制装置输出之控制脉波信号所规定之判定周期,使上述之升压电位节点之电位和指定之基准电位进行比较,用来判定上述升压电位节点之电位之位准与该基准电位比较之相对高低;驱动脉波振荡装置,当利用上述之位准判定装置判定上述之升压电位节点之电位低于上述之基准电位之情况时,就振荡出驱动脉波信号;和充电泵装置,在回应该上述驱动脉波振荡装置输出之驱动脉波信号时被驱动,藉以将用以使上述升压电位节点之电位上升之电荷供给到上述之升压电位节点;上述之判定周期控制装置是在回应上述之位准判定装置判定上述升压电位节点之电位高于上述基准电位时就输出第1周期之控制脉波信号,和在回应上述之位准判定装置判定上述升压电位节点之电位低于上述基准电位时就输出比第1周期短之第2周期之控制脉波信号。2. 如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中更具备有基准脉波振荡装置,用来振荡出具有上述第1周期之基准脉波信号;上述之判定周期控制装置用来接受上述之基准脉波信号和上述之驱动脉波信号,在回应上述之位准判定装置判定上述升压电位节点之电位高于上述基准电位时就输出具有周期与上述基准脉波信号相同之信号作为上述之第1周期之控制脉波信号,和在回应上述之位准判定装置判定上述升压电位节点之电位低于上述基准电位时就输出具有周期与上述驱动脉波信号相同之信号作为上述第2周期之控制脉波信号。3. 如申请专利范围第2项之半导体记忆装置,其中上述之位准判定装置是当上述升压电位节点之电位高于上述基准电位时输出第1位准之信号,当上述升压电位节点之电位低于上述基准电位时输出第2位准之信号;上述之判定周期控制装置包含有:第1闸装置,用来接受上述之基准脉波信号和上述之位准判定装置之输出信号,当上述之位准判定装置之输出信号为上述之第1位准之情况时,就输出上述之基准脉波信号;和第2闸装置,用来接受上述第1闸装置之输出信号和上述之驱动脉波信号,藉以输出表示该等信号之逻辑和之信号作为上述之控制脉波信号。4. 如申请专利范围第3项之半导体记忆装置,其中上述之第1闸装置包含有:反相器装置,用来使上述位准判定装置之输出信号反转的进行输出;和逻辑闸装置,用来接受上述反相器装置之输出信号和上述基准脉波信号,藉以输出表示该等信号之逻辑积之信号。图示简单说明:图1是方块图,用来表示依照本发明之半导体记忆装置中之升压电位产生电路之构造。图2是电路图,用来表示图1之第1振荡电路之构造。图3是电路图,用来表示图1之判定控制电路之构造。图4是时序图,用来表示图3之判定控制电路之动时之各个部份之波形。图5是电路图,用来表示图1之位准判定电路之构造。图6是时序图,用来表示图5之位准判定电路之动作时之各个部份之波形。图7是电路图,用来表示图1之第2振荡电路之构造。图8是电路图,用来表示图1之充电泵之构造。图9是时序图,用来表示图8之充电泵之动作时之各个部份之波形。图10是时序图,用来表示图1之升压电位产生电路之全体之动作。图11是方块图,用来表示习知之半导体记忆装置中之升压电位产生电路之构造。图12是时序图,用来表示图11之升压电位产生电路之动作 |
