| 摘要 |
〔目的〕可使元件分离领域平坦化，同时可抑制鸟嘴（birds beaks）发生的半导体装置。〔构成〕在Si基板上将第1矽氧化膜2及第1矽氮化膜3叠层，形成Si基板1上面的一部份露出的开口部11之后，在开口部11将被露出的Si基板1蚀刻到预定的深度而形成沟12，在Si基板1上将多晶体矽膜13及第2矽氮化膜14顺序叠层，利用向异性蚀刻法将第2矽氮化膜14蚀刻到沟12之底部的多晶体矽膜13露出为止，将第2矽氮化膜14a残留在开口部11及沟12的侧壁上，又，将多晶体矽膜13残留在开口部11及沟12及之Si基板1露出部上，将第1及第2矽氮化膜3、14a做为遮蔽来热氧化Si基板1来形成元件间分离领域15a。 |
