| 发明名称 | 防止金属矽化物剥离的积体电路构造 | ||
| 摘要 | 一种防止金属矽化物剥离的积体电路构造，包括：一基底，其上形成有电晶体元件；一金属矽化物层，形成在该基底表面上；以及一绝缘层、一金属层、及一隔绝保护层，依序形成于该金属矽化物层表面一，组成该积体电路构造；其特征在于：该基底所有的区域上均形成有凹凸的表面，用以释放应力，防止该金属矽化物层发生剥离，进而提高产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | TW275388 | 申请公布日期 | 1996.05.01 |
| 申请号 | TW084212596 | 申请日期 | 1994.02.01 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吴德源;卢火铁 |
| 分类号 | H01L21/70 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一 | |
| 主权项 | 1. 一种防止金属矽化物剥离的积体电路构造,包括:一基底,其上形成有电晶体元件;一金属矽化物层,形成在该基底表面上;以及一绝缘层、一金属层、及一隔绝保护层,依序形成于该金属矽化物层表面上,组成该积体电路构造;其特征在于:该基底所有的区域上均形成有凹凸的表面,用以释放应力,防止该金属矽化物层发生剥离,进而提高产品的良率。2. 如申请专利范围第1项所述之构造,其中该基底凹凸的表面,系利用在该电晶体元件形成期间,藉由对基底表面的所有区域曝光,并配合显影、蚀刻制程,将至少一层图案转移到基底表面的所有区域者。3. 如申请专利范围第1项或第2项所述之构造,其中该金属矽化物层是一沉积的矽化钨层。图示简单说明:第1图系显示习知技艺在沉积金属矽化物之前,晶圆表面形态的上视示意图;以及第2图系显示依据本创作一较佳实施例在沉积金属矽化物 | ||
| 地址 | 新竹科学工业园区工业东三路三号 | ||