闸极上具吸光层之薄膜电晶体

摘要

非晶矽薄膜电晶体液晶显示器已被广泛应用于笔记型电脑，其薄膜电晶体所采用之结构为反转交错型、若能利用此反转交错结构、再加上雷射再结晶的技术、将非晶矽再结晶成多晶矽、则可将驱动电路以多晶矽薄膜电晶体设计在显示器周围，降低使用驱动电路所需IC之成本。但多晶矽薄膜电晶体，若采用反转交错结构，则制程中因闸极金属在最底下，最上面为欲打雷射之非晶矽层，两者中间夹有闸极绝缘层，所以在雷射再结晶的过程中，雷射部份被非晶矽所吸收，未吸收部份则穿过闸极绝缘层，被闸极金属所反射，而此残留之雷射能量无法消除会造成闸极绝缘层被破坏，闸极漏电流变得很大。本发明主要在闸极上面加上一层吸光层，此吸光层可吸收穿透非晶矽层之残余雷射、防止因雷射再反射，而造成闸极氧化层被破坏，解决闸极漏电流的问题，使得多晶矽薄膜电晶体可使用反转交错结构，大大降低雷射破坏之影响。

主权项

1. 一种闸极上具吸光层之薄膜电晶体,其结构为包含闸极电极,上面有吸光层,在两者之上有闸极绝缘层,在绝缘层之上有未掺杂多晶矽层作为传导通道,在未掺杂多晶矽层两端,含有掺杂多晶矽,并联接汲极/源极金属。2. 如申请专利范围第1项所述闸极上具吸光层之薄膜电晶体,其中此吸光层可为本质非晶矽或其他吸光材质。3. 如申请专利范围第1项所述闸极上具吸光层之薄膜电晶体,其中该多晶矽层系利用雷射再结晶技术,将非晶矽层再结晶成多晶矽。4. 如申请专利范围第1项所述闸极上具吸光层之薄膜电晶体,其中该闸极及吸光层,可用一吸光导电材料代替。图示简单说明:图1为一般非晶矽薄膜电晶体所采用之反转交错(invertedstaggered)结构。图2为一般多晶矽薄膜电晶体所采用之共平面(coplanar)结构。图3为多晶矽薄膜电晶体所采用之完全自我对准反转交错(fully selfaligned inverted staggered)结构。图4为未具吸光层闸极多晶矽薄膜电晶体所采用之完全自我对准反转交错结构的制造流程说明。图5为未采用吸光层闸极薄膜电晶体之闸极漏电流说明。图6为本发明之具吸光闸极之完全自我对准反转交错多晶矽薄膜电晶体的制造流程说明。图7为本发明之各种具吸光层闸极薄膜电晶体的各种实施例。图8为未采用及采用吸光层闸极结构之I@ssD,I@ssG—V@