| 主权项 |
1. 一种被处理体的抗蚀剂处理方法,主要系,具备在被处理体供给处理液而对前述被处理体实施处理之处理工程,和在前述被处理体供给洗净液而把前述被处理体洗净的洗净工程,其特征为,前述处理工程和前述洗净工程至少在一部份将会重叠者。2. 如申请专利范围第1项所述的抗蚀剂处理方法,其中,在前述处理工程之前更具备有洗净前述被处理体的洗净工程者。3. 如申请专利范围第2项所述之抗蚀剂处理方法,其中,前述处理工程和前述洗净工程之重叠系在前述被处理工程前的洗净工程进行者。4. 如申请专利范围第1项所述之抗蚀剂处理方法,其中,在前述处理工程和洗净工程的重叠中,使前述处理液之供给量逐渐增加者。5. 如申请专利范围第1项所述之抗蚀剂处理方法,其中,在前述处理工程和前述洗净工程的重叠中,使前述处理液之供给逐渐减少者。6. 如申请专利范围第1项所述之抗蚀剂处理方法,其中,在前述处理工程和前述洗净工程的重叠中,使前述洗净液之供给量逐渐减少者。7. 如申请专利范围第1项所述之抗蚀剂处理方法,其中,在前述处理工程和前述洗净工程的重叠中,使前述处理液之供给量逐渐减少,同时使前述洗净液的供给量逐渐增加者。8. 如申请专利范围第1项所述之抗蚀剂处理方法,其中,在前述处理工程,系包含;使供给处理液的处理液供给装置位于具有对向之一对端缘的方形状之被处理体上方的工程,和一面根据前述处理液供给装置把处理液供给前述被处理体,一面使前述处理液供给装置向前述被处理体的前述一对端缘之一方端缘对前述被处理体相对地移动的工程,和一面根据前述处理液供给装置把处理液向前述被处理体供给,一面使前述处理液供给装置从前述被处理体的前述一方端缘向前述一对端缘之他方端缘对前述被处理体相对地移动的工程者。9.@fc(0 4R ]lY佻︳=b譣S迻]陛A和一面根据前述处理液供给装置把处理液供给前述被处理体,一面使前述处理液供给装置从前述被处理体的前述一方端缘向前述一对端缘之他方端对前述被处理体相对地移动的工程者。10. 如申请专利范围第9项所述的被处理体之抗蚀剂处理方法,其中,更具备一面使前述涂布处理液的被处理体变更旋转方向而旋转之工程者。11. 如申请专利范围第9项所述的被处理体之抗蚀剂处理方法,其中,前述被处理体为LCD基板者。12. 一种抗蚀剂处理装置,主要系,具备有将被处理体保持为能旋转的保持装置,和在前述被处理体之表面供给处理液的处理液供给装置,和在前述被处理体之表面供给洗净液的洗净液供给装置,其特征为,前述保持装置,系配置在处理容器内,具有能升降及旋转的旋转轴之真空吸着式自旋夹,在前述旋转轴和前述处理容器之间设有密封机构,前述密封机构,主要系由闭塞前述旋转轴与前述处理容器之间的具有可挠性之密封构件,和把前述密封构件向前述旋转轴与前述处理容器侧推压的弹簧构件构成者。13. 如申请专利范围第12项所述之抗蚀剂处理装置,其中,前述处理液供给装置,系由包含前述被处理体的前述一对端缘之长度的管状处理液收容体,和沿着该处理收容体之长方向隔着所定间隔设置的多数之细孔构成,在连接前述处理液供给装置和前述处理液供给源的处理液供给配管之前述处理液供给装置近傍的一方位置设有温度调整机构者。14. 如申请专利范围第12项所述之抗蚀剂处理装置,其中,前述处理液供给装置,系在处理液收容体的上部形成有抽气泡口,而在前述抽气泡口连接有介设吸引量调节机构之气泡排出管者。图示简单说明:图1,为编入实施有关实施本发明的第1发明之抗蚀剂处理方法时使用的抗蚀剂处理装置之抗蚀剂涂布显影处理系统的斜视图,图2及图3,为说明有关第1发明的抗蚀剂处理方法用之概略图,图4,为有关第1发明的抗蚀剂处理方法之时序表,图5A-图6C,为显示有关第1发明的抗蚀剂处理方法之处理工程和洗净工程的重叠状态之时序表,图7及图12,为显示实施有关本发明的第2发明之抗蚀剂处理方法时使用的抗蚀剂处理装置之截面图,图8,为显示图7的抗蚀剂处理装置的主要部份之扩大截面图,图9,为显示图7的抗蚀剂处理装置之密封机构的主要部份之截面斜视图,图10,为图9所示的密封机构之概略截面图,图11A及图11B,为显示密封机构的其他例之概略截面图,图13及图16,为显示有关第2发明之抗蚀剂处理装置的处理液供给装置之截面图,图14及图17,为显示处理液供给装置和洗净液供给装置的移动机构之一例的平面图,图15,为显示处理液供给装置的动作之说明图,图18A-图18E,为说明有关第2发明的抗蚀剂处理方法用之图,图19,为编入实施有关本发明的第2发明之抗蚀剂处理方法时使用的抗蚀剂处理装置之抗蚀剂涂布显影处理系统的 |
