THE MANUFACTURING METHOD OF TRANSISTOR FOR RADIATION MEASURING SENSOR

摘要

본 발명은 방사선 측정센서용 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 기판상에 게이트 전극이 형성될 게이트영역을 형성하는 단계와, 상기 게이트영역에 형성되는 게이트 절연막의 두께를 결정하고, 결정된 상기 게이트 절연막의 두께에 따라 상기 기판의 기판 농도를 조절하며, 결정된 상기 게이트 절연막의 두께에 따라 상기 게이트영역에 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막의 두께에 따라 소스와 드레인을 형성하는 단계 및 상기 게이트 절연막의 두께에 따라 상기 게이트 전극의 길이 및 폭을 조절하여 형성하는 단계를 포함한다.