| 主权项 |
1. 一种半导体装置包括:一个基体;及经形成在该基体上之许多薄膜电晶体,其中,一部份的许多薄膜电晶体具有以大致平行于基体的表面予以生长之结晶矽薄膜而其他部份的许多薄膜电晶体则具有非晶矽薄膜。2. 一种半导体装置包括:一个基体;及经形成在该基体上之许多薄膜电晶体,其中将部份的许多薄膜电晶体提供作为活性矩阵型液晶显示器的周边电路部份并将其他部份的许多薄膜电晶体提供作为该活性矩阵型液晶显示器的像素部份,及经提供作为周边电路部份之薄膜电晶体具有以平行于基体的表面之方向予以生长之结晶矽薄膜晶体而经提供作为像素部份之薄膜电晶体则具有非晶矽薄膜。3. 一种制造半导体装置之方法包括:形成一个大致非晶矽薄膜在基体上;在形成非晶矽薄膜前或后选择性引入能促进结晶之一种金属元素至一个区域;及经由加热使非晶矽膜结晶,其中晶体生长系自该区域以大致平行于基体的表面之一个方向予以实施而未选择性引入金属元素之其他区域则具有非晶矽薄膜。4. 如申请专利范围第3项之方法,其中金属元素为镍,其浓度范围在110@su1@su5至510@su1@su9原子/立方厘米。5. 如申请专利范围第3项之方法,其中加热之温度范围是450℃至550℃。6. 如申请专利范围第3项之方法,其中在经由加热而结晶后将雷射或相当之强光选择性照射在业已引入金属元素之区域上及环绕该区域。7. 如申请专利范围第3项之方法,其中金属元素系经由施加或自旋涂覆含有金属元素之一种物质予以引入。8. 一种制造使用于活性矩阵液晶显示器之半导体装置之方法包括:形成一个大致非晶矽薄膜在基体上;在形成非晶矽薄膜前或后选择性引入能促进结晶之一种金属元素;及经由加热以大致平行于基体表面之一个方向自业已选择性引入金属元素至其中之一个区域使非晶矽薄膜结晶并生长,其中未经选择性引入金属元素之其他区域则具有非晶矽薄膜,及其中将薄膜电晶体以结晶矽薄膜的晶体生长方向形成在大致平行于薄膜电晶体以内之载子移动方向的区域中并将其他薄膜电晶体形成在其他区域上。9. 如申请专利范围第8项之方法,其中金属元素为镍,其浓度范围在110@su1@su5至510@su1@su9原子/立方厘米。10. 如申请专利范围第8项之方法,其中加热之温度范围是450℃至550℃。11. 如申请专利范围第8项之方法,其中在经由加热而结晶后将雷射或相当之强光选择性照射在业已引入金属元素之周边电路区域上及环绕该周边电路区域。12. 如申请专利范围第8项之方法,其中金属元素系经由施加或自旋涂覆含有金属元素之一种物质予以引入。13. 一种活性矩阵型液晶显示器包括:具有许多分别相连多数像素段之薄膜电晶体像素段;及驱动每一个像素段之薄膜电晶体之包括有多数薄膜电晶体之驱动电路设备,其中该驱动电路设备之薄膜电晶体具有一基底和以大致平行于基体表面予以生长之结晶矽薄膜晶体,像素段之薄膜电晶体具有非晶矽薄膜,其中该结晶矽膜为镍,具有之浓度范围在110@su1@su5至510@su1@su9原子/立方厘米。图示简单说明:图1是一幅图显示根据本发明之一种具体实施例之液晶显示器的示意构造;图2A至2D是图示显示根据本发明具体实施例之制造电路之一种方法,组成液晶显示器的周边电路部份之NTFT和PTFT互补式形成在其中;图3是一幅图显示自上方所见之图2D中所显示之构型;图4A至4D是图示显示根据本发明之具体实施例制造经形成在液晶显示器中像素部份中之NTFT的方法;图5A至5E是图示显示根据本发明之另外具体实施例制造液晶显示器中之周边电路部份和像素部份中TFT电路之方法;及图6A与6B是环绕经由在所制造之TFT中以侧方向之生长予 |
