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1. 一种低温烧结氮化铝(ALN)成致密氮化铝陶瓷烧结体之方法:使用表面被覆金属Al量0.1-5wt%之氮化铝颗粒或凝聚体,经压力成形、烧结时,先于真空下加热使Al熔化连结于氮化铝颗粒之间,并持温一段时间之后,通入可将金属铝氮化成氮化铝之气体,且在氮化温度持温,再升温1650℃-1750℃烧结温度,产生致密度高之氮化铝陶瓷烧结体。图示简单说明:图一 制造流程1..真空窒11..电极12..钨丝13..培养皿14..派拉尼真空计2..扩散帮浦21..热水出口22..冷水入口3..离子真空计4..真空阀5..机构帮浦图二 真空蒸镀装置图三 覆膜流程图图四 x光绕射图 1.原料氮化铝 2.金属铝 3.被覆铝膜之氮化铝粉末 4.烧结后氮化铝烧结体图五 烧结体之相对密度、线性收缩率与被覆铝量之关系图(持温3小时)1700℃☆相对密度线性收缩1750℃相对密度+线性收缩图六 烧结体之相对密度与被覆铝量之关系图(1750℃烧结温度)+持温1小时 持温3小时 持温6小时图七 烧结体之线性收缩率与被覆铝量之关系图(1750℃烧结温度)+持温1小时 持温3小时 持温6小时图八 烧结体之比介电常数、损耗因子(tan)与被覆铝量之关系图(持温3小时)1700℃比介电常数+损耗因子1750℃比介电常数 损耗因子图九 烧结体之比介电常数与被覆铝量之关系图(1750℃烧结温度)持温1小时 +持温3小时 持温6小时图十 烧结体之比介电常数、损耗因子(tan)与被覆铝量之关系图(1750℃烧结温度) |
