SOI基板之制造方法

摘要

本发明系提供一ＳＯＩ基板的制造方法，与传统的技术相较下，加工后的活性基板的残留层的厚度变薄且落差变小，除研削时不会发生Ｖ沟外，且可在短时间内制造。本发明的构成为：贴合支持基板２与活性基板３而得贴合晶圆体４。设研削砥石１于旋转晶圆体。当水平方向回转贴合晶圆体４时，令研削砥石１对活性基板３作垂直回转。使研削砥石１在贴合晶圆体４的外围部的上面由上方开始接触。残留残留层１１ａ，研削活性基板３的外围部。

主权项

1. 一种SOI基板的制造方法,其特征为:当贴合支持基板之半导体晶圆体,与活性基板之半导体晶圆体以制造SOI基板时,在对活性基板的外围部作平滑面处理的方法上,当贴合半导体晶圆作水平方向回转时,将对此为略垂直方向回转之研削砥石,由上述活性基板的上方接触,来进行研削。2. 如申请专利范围第1项之SOI基板的制造方法,其中使用旋转机器,设研削砥石于该旋转机器上,以该研削砥石作研削。图示简单说明:第1图系本发明之SOI基板的制造方法所示之模式图。第2图系传统技术之SOI基板的制造工程所示之图。