| 主权项 |
1. 一种电源极板的制造方法,包括:提供一半导体基底,其具有一绝缘层覆于表面;蚀刻该绝缘层成一开口,露出部份该基底;形成一矽薄膜于该绝缘层上,并沿该开口与该露出之基底相接触;蚀刻该矽薄膜成一电源极板;以及以自动对准方法形成金属矽化层于该电源极板上。2. 如申请专利范围第1项所述之该电源极板的制造方法,其中,该自动对准金属矽化层的形成方法包括:以平行溅镀法形成一金属层覆于该基底表面;施以退火处理,令与该电源极板相接触之该金属层共同反应成该金属矽化层;以及去除未反应之该金属层。3. 如申请专利范围第2项所述之该电源极板的制造方法,其中,该金属层厚度约介于300-500埃间的范围。4.如申请专利范围第3项所述之该电源极板的制造方法,其中,该金属层是钛。5. 如申请专利范围第3项所述之该电源极板的制造方法,其中,该金属层是钴。6. 如申请专利范围第2项所述之该电源极板的制造方法,其中,该退火处理是一快速退火处理。7. 如申请专利范围第6项所述之该电源极板的制造方法,其中,该快速退火处理的温度约介于600-700℃间。8.如申请专利范围第7项所述之该电源极板的制造方法,其中,该退火处理系于N@ss2的环境下处理10-60秒间的时间。9. 如申请专利范围第7项所述之该电源极板的制造方法,其中,该退火处理系于NH@ss3的环境下处理10-60秒间的时间。10. 如申请专利范围第1项所述之该电源极板的制造方法,其中,该矽薄膜是复晶矽。11. 如申请专利范围第1项所述之该电源极板的制造方法,其中,该矽薄膜的厚度约介于500-1000埃间。图示简单说明:第1图所示为一SRAM记忆单元的电路图;第2图为一分离式字元线结构之SRAM记忆单元的布局顶视图;第3图所示为习知电源极板的制造方法的剖面图;以及第4A-4B图所示为根据本发明一较佳实施例的流程剖面图 |
