发明名称 半导体用炉管之新结构
摘要 本创作系指一种半导体用炉管之新结构,主要系在石英管之接头部份具有特殊设计之空间型态,再配合O形环(o-ring),使石英管与石英管之接头部份不致有气体之外漏,造成机台附近之不锈钢管壁腐蚀,而达到完全防漏之目的。
申请公布号 TW287722 申请公布日期 1996.10.01
申请号 TW084214979 申请日期 1995.10.19
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 彭志文
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 杜胜文 台北巿中山北路七段一一四巷七十二弄九之二号
主权项 1. 一种半导体用炉管之新结构系含有二截段石英管,该石英管之端头部份形成有突缘,其特征在其中一石英管之突缘上形成有凸出之平台,供O形环套住;再以弧形夹嵌入该突缘,该弧形夹上设有若干螺栓孔,供螺栓穿过并藉螺紧螺栓使弧形夹向内缩,以达使二石英管之突缘紧密结合及防止气体外漏之功效。图示简单说明:图1为习知二截段石英管之示意图。图2为图1二截管组合之示意图。图3(a)为弧形夹之侧视图。图3(b)为弧形夹之上视或底视图。图4(a)为依据本创作石英管接头组合前之示意图。
地址 新竹科学工业园区研新一路一号