| 主权项 |
2. 如申请专利范围第1项所述之架构,其中该金氧半电晶体是以一自动对准金属矽化物制程制成。3. 如申请专利范围第1项所述之架构,其中每一个隔离岛均包括一氧化物层形成在该矽基底上、以及一复晶矽层形成在该氧化物层上。4. 如申请专利范围第1项所述之架构,其中该复数个隔离岛是场氧化物层。5. 如申请专利范围第4项所述之架构,其中该场氧化物层是以区域氧化法形成。6. 如申请专利范围第1项所述之架构,其中该复数个隔离岛的尺寸均大致相同。7. 如申请专利范围第6项所述之架构,其中每一隔离岛的长度大约是8.5(。8. 如申请专利范围第6项所述之架构,其中每一隔离岛的宽度大约是0.75(。9. 如申请专利范围第6项所述之架构,其中该复数个隔离岛中相邻两隔离岛的间距大约是1.5(。10. 如申请专利范围第6项所述之架构,其中该复数个隔离岛是以复数列的方式分布设置在该汲极扩散区中,形成复数个列隔离岛,且每一列隔离岛均具有复数个隔离岛。11. 如申请专利范围第10项所述之架构,其中该复数个隔离岛中相邻两列隔离岛的间隔大约是0.75(。12. 如申请专利范围第10项所述之架构,其中该闸极的边缘与紧邻的列隔离岛的间隔约是0.75(。13. 如申请专利范围第10项所述之架构,其中该复数个隔离岛中某一列隔离岛中相邻两隔离岛之间距的中心,是大致对应至紧邻的列隔离岛中某一隔离岛的中心。图示简单说明:第1a图绘示的是一种习知的静电放电保护电路中n型金氧半电晶体的上视示意图;第1b图绘示的是图1a的电路示意图;第2a图绘示的是一种习知的静电放电保护电路的绕线布局上视示意图;第2b图绘示的是图2a的电路示意图;第3图绘示的是一种习知的静电放电保护电路的不当绕线布局之上视示意图;第4a-4c图是描述本发明之第一较佳实施例,一种静电放电保护电路中金氧半电晶体架构的部份制造流程之上视示意图;第5a-5c图是分别对应第4a-4c图的侧视剖面流程图;第6a-6c图是描述本发明之第二较佳实施例,一种静电放电保护电路中金氧半电晶体架构的部份制造流程之上视示意图;第7a-7c图是分别对应第6a-6c图的侧视剖面流程图;第8图是应用本发明之第三较佳实施例的上视示意图;第9图是应用本发明之第四较佳实施例的上视布局示意图 |
