| 主权项 |
2. 如申请专利范围第1项所述之避免火山效应发生的接触窗钨闩柱的制作方法,其中,该晶片在溅镀系统中溅镀形成钛金属与氮化钛层时,是以约2毫米之石英螺丝钳环夹住晶片边缘。3. 如申请专利范围第1项所述之避免火山效应发生的接触窗钨闩柱的制作方法,其中,该晶片以钨化学气相沈积法沈积钨成核层时,是以约3毫米之石英螺丝钳环夹住晶片边缘。4. 如申请专利范围第1项所述之避免火山效应发生的接触窗钨闩柱的制作方法,其中,该晶片以钨化学气相沈积法大量沈积钨金属在钨成核层上时,是以5毫米之石英螺丝钳环夹住晶片边缘。5. 如申请专利范围第1项所述之避免火山效应发生的接触窗钨闩柱的制作方法,其中,以钨化学气相沈积法沈积之钨成核层厚度约500埃。图示简单说明:图一到图三是传统形成第一层金属连线之接触窗和金属溅镀的制程剖面示意图。图一是沈积二氧化矽层于矽半导体表面后的制程剖面示意图,所述二氧化矽层作为绝缘之用(Insulating);图二是蚀刻所述二氧化矽层,以形成接触窗后的制程剖面示意图,金属薄膜将透过所述接触窗与矽半导体作电性接触;图三是溅镀(Sputter)钛金属与氮化钛,所述钛金属与氮化钛跨过所述接触窗后的制程剖面示意图。图四(a)系为本发明之钨化学气相沈积过程,固定晶片边缘所用的不同尺寸之石英螺丝钳环(Quartz ClampingRing)俯视示意图。图四(b)系有关图四(a)之剖面示意图。图五系为本发明作钨化学气相沈积时所用的反应室A和反应室B;其中,反应室A用来沈积钨成核层,反应室B用来 |
