室温溅射沉积柔性AZO透明导电薄膜的方法

摘要

室温溅射沉积柔性AZO透明导电薄膜的方法，所述方法包括如下步骤：（1）衬底清洗；（2）预溅射；（3）同质缓冲层制备；（4）紫外光辅助溅射AZO薄膜主体层。本发明的引入低功率室温溅射的同质缓冲层，有利于后续高质量AZO主体层薄膜的制备及减小溅射粒子对有机柔性衬底造成损伤。利用本发明制备的AZO薄膜结晶性能良好，表面致密平整，工艺操作相对简单，适于工业化生产。

主权项

室温溅射沉积柔性AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：（1）衬底清洗：将柔性衬底分别用丙酮、无水乙醇超声清洗15‑25 min，再用去离子水超声清洗10‑20 min，最后进行干燥；（2）预溅射：将干燥后的柔性衬底装入溅射镀膜设备的真空腔体内，将活动挡板置于出衬底与靶材之间，并抽真空，然后充入氩气，调节流量至真空室压强为0.5‑0.7 Pa，进行预溅射5‑15 min；（3）同质缓冲层制备：采用AZO陶瓷靶材，打开活动挡板进行缓冲层沉积，采用磁控溅射在柔性衬底上镀覆AZO作为同质缓冲层，溅射时衬底温度为室温，溅射功率为70‑80 W，真空室压强为0.5 ‑0.7 Pa；（4）紫外光辅助溅射AZO薄膜主体层：调节氩气气流至真空室压强为0.15‑0.4 Pa，打开位于溅射真空腔体底部的紫外灯，在紫外光辐照情况下，室温条件下进行AZO薄膜主体层溅射制备，溅射靶材仍采用缓冲层制备时的AZO陶瓷靶材，溅射功率为90‑120 W，溅射时间为20‑60 min。