发明名称 活性矩阵显示装置
摘要 本发明之设计目的是要降低薄膜电晶体OFF电流的效应以及改善使用多晶矽薄膜电晶体构成之活性矩阵显示装置上的影像品质。本发明为一个像素电极设置了多个串连的薄膜电晶体,在各薄膜电晶体的闸极端上施加不同的讯号,而当所有串连薄膜电晶体均处于导通状态时才将讯号写入像素中。此外,由于薄膜电晶体系为串连,在它们全部处于关闭状态时位于源电极与汲电极上的电压被分除,因此跨于驱动像素之薄膜电晶体的源电极与汲电极上的电压很小,使OFF电流降低。
申请公布号 TW290675 申请公布日期 1996.11.11
申请号 TW084110440 申请日期 1995.10.04
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 小山润;河崎佑司
分类号 G09G3/20 主分类号 G09G3/20
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼;林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1. 一种驱动活性矩阵显示装置的方法,该装置包含:在玻璃基体上成矩阵安排的像素电极;以及为像素而设的多个串连之驱动薄膜电晶体;所述方法包含:以不同时间波形分别对各驱动薄膜电晶体之闸电极施加一扫瞄线讯号;其中当所有由扫瞄线讯号驱动之驱动薄膜电晶体均导通时,像素电极受到驱动。2.如申请专利范围第1项之方法,其中施加至各驱动薄膜电晶体上的讯号有所偏移,该偏移时间等于均匀除以与给定像素电极串连之驱动薄膜电晶体数目所得的时间。3.如申请专利范围第1项之方法,其中在与所述像素电极连接之薄膜电晶体的通道两端设有LDD区域。4.如申请专利范围第1项之方法,其中在与所述像素电极连接之薄膜电晶体的通道两端设有偏置区。5.如申请专利范围第1项之方法,其中在交流接地点与串连驱动薄膜电晶体的汲极与源极连接点之间设置有至少一个电容元件。6. 一种驱动活性矩阵显示装置的方法,该装置包含:在玻璃基体上成矩阵安排的像素电极;以及与像素电极连接的多个串连之驱动薄膜电晶体,至少一个所述驱动薄膜电晶体与至少另一个所述驱动薄膜电晶体连接;所述方法包含:以不同时间波形分别对各上述至少一个其他驱动薄膜电晶体之闸电极施加一扫瞄线讯号;其中当所有由扫瞄线讯号驱动之驱动薄膜电晶体均导通时,像素电极受到驱动。7.如申请专利范围第6项之方法,其中施加至各驱动薄膜电晶体上的讯号有所偏移,该偏移时间等于均匀除以与给定像素电极串连之驱动薄膜电晶体数目所得的时间。8.如申请专利范围第6项之方法,其中在与所述像素电极连接之薄膜电晶体的通道两端设有LDD区域。9.如申请专利范围第6项之方法,其中在与所述像素电极连接之薄膜电晶体的通道两端设有偏置区。10.如申请专利范围第6项之方法,其中在交流接地点与串连驱动薄膜电晶体的汲极与源极连接点之间设置有至少一个电容元件。11. 一种驱动活性矩阵显示装置的方法,该装置包含:在玻璃基体上成矩阵安排的像素电极;以及与像素连接的多个串连之驱动薄膜电晶体;所述方法包含:固定保持至少一个上述驱动薄膜电晶体于导通状态;以及以不同时间波形分别对各其他驱动薄膜电晶体之至少一个的闸电极施加一扫瞄线讯号;其中当所有由扫瞄线讯号驱动之驱动薄膜电晶体均导通时,像素电极受到驱动。12.如申请专利范围第11项之方法,其中施加至各驱动薄膜电晶体上的讯号有所偏移,该偏移时间等于均匀除以与给定像素电极串连之驱动薄膜电晶体数目所得的时间。13.如申请专利范围第11项之方法,其中在与所述像素电极连接之薄膜电晶体的通道两端设有LDD区域。14.如申请专利范围第11项之方法,其中在与所述像素电极连接之薄膜电晶体的通道两端设有偏置区。15.如申请专利范围第11项之方法,其中在交流接地点与串连驱动薄膜电晶体的汲极与源极连接点之间设置有至少一个电容元件。图示简单说明:图1(A)至1(D)出示根据本发明之活性矩阵电路元件的实例。图2示意示出习知活性矩阵电路。图3示出薄膜电晶体的Vg-Id特性。图4(A)示出习知X移位暂存器的电路结构图4(B)至4(C)示出图4(A)之X移位暂存器的讯号时间。图5(A)示出本发明之X移位暂存器的电路结构。图5(B)至5(C)示出图5(A)之X移位暂存器的讯号时间。
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