| 主权项 |
1. 一种半导体积体电路用之场区氧化物的制造方法,适用于一半导体基板上形成场氧化物,而上述半导体积体电路用之场区氧化物的制造方法包括下列步骤:于上述半导体基板上依序形成衬垫氧化物层及氮化物层;于上述氮化物层形成开口;于上述开口及氮化物层上形成复晶矽层;施行氧化,而使上述复晶矽层成为氧化物层,同时于上述开口内的上述半导体基板上形成上述场区氧化物;以及去除上述氧化物层及氮化物层。2. 如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路用之场区氧化物的制造方法,其中以回蚀刻来去除上述氧化物层。3. 如申请专利范围第1或2项所述之半导体积体电路用之场区氧化物的制造方法,其中以石版印刷术于上述氮化物层上先形成光阻层,然后以上述光阻层为罩幕来蚀刻上述氮化物层,而形成上述开口。图示简单说明:第1图系显示用以说明习知半导体积体电路用之场区氧化物的制造方法的剖面图;以及第2图系显示用以说明本发明之半导体积电路用之场区氧 |
