| 主权项 |
1. 一种磊晶晶片,系具有挥发性化合物半导体基板(1)、及由在前述基板上形成的IaN而成之缓冲层(2)、与于前述缓冲层上形成的含有由InGaN及GaN而成之组群中选出的材料之磊晶层(3.5)而成。2. 如申请专利范围第1项之磊晶晶片,其中前述挥发性化合物半导体基板(1)系由选自由GaAs、GaP、InAs及InP而成之组群中之化合物半导体而成者。3. 一种化合物半导体发光元件,系具有挥发性化合物半导体基板(1)、及由在前述基板上形成的InN而成之缓冲层(2)、与于前述缓冲层上形成之由InG@ssa@ss1@ss-@ssxN而成的缓和层(3)、与由在前述缓和层上形成之由In@sskG@ssa@ss1@ss-@sskN而成之发光层(4)而成,而k为0<k<1之范围之一定値,x为自前述缓冲层(2)侧向前述发光层(4)侧于厚度方向上自1至k为止(惟,k系将1及k除外)予以减少而成者。4. 如申请专利范围第3项之化合物半导体发光元件,其中,前述挥发性化合物半导体基板(1)系选自由GaAs、GaP、InAs及InP而成之群体中之化合物半导体而成者。5.一种磊晶晶片之制造方法,系具有利用于挥发性化合物半导体基板(1)上,一面自外部加热反应室(54)整体一面将含有氯化氢及含铟之有机金属原料之第1气体及含有氨气之第2气体导入反应室(54)内,使于反应室(54)内设置的基板(1)上气相成长之方法,形成由InN而成之缓冲层(2)之步骤,与利用于前述缓冲层(2)上,一面自外部加热反应室(54)整体一面将含有氯化氢、含镓之有机金属原料及含铟之有机金属原料之第1气体及含有氨气之第2气体导入反应室(54)内,使于反应室(54)内设置的基板(1)上气相成长之方法,一面形成含有InGaN之磊晶层(3)之步骤而成。6. 如申请专利范围第5项之磊晶晶片之制造方法,其中,前述挥发性化合物半导体基板(1)系选自由GaAs、GaP、InAs及InP而成之组群中之化合物半导体。7. 如申请专利范围第5项之磊晶晶片之制造方法,其中含有镓之有机金属原料系选自由三甲基镓及三乙基镓而成之组群中之材料,而含有铟之有机金属原料系选自由三甲基铟及三乙基铟而成之组群中之材料。8. 一种化合物半导体发光元件之制造方法,系具有利用于挥发性化合物半导体基板(1)上,一面自外部加热反应室(54)整体一面将含有氯化氢及含铟之有机金属原料之第1气体及含有氨气之第2气体导入反应室(54)内,使于反应室(54)内设置的基板(1)上气相成长之方法,形成由InN而成之缓冲层(2)之步骤,与利用于前述缓冲层(2)上,一面自外部加热反应室(54)整体一面将含有氯化氢、含镓之有机金属原料及含铟之有机金属原料之第1气体及含有氨气之第2气体导入反应室(54)内,使于反应室(54)内设置的基板(1)上气相成长之方法,一面使前述基板温度升温,边形成由In@ssxG@ssa@ss1@ss-@ssxN而成之缓和层(3)之步骤,与于前述缓和层(3)上,一面自外部加热反应室(54)整体、一面将含有氯化氢、含镓之有机金属原料及含铟之有机金属原料之第1气体及含有氨气之第2气体导入反应室(54)内,使于反应室(54)内设置的基板(1)上气相成长之方法,形成由InkGa1-kN而成之发光层(4)之步骤,而k为0<k<1之范围之一定値,x为自前述缓冲层(2)侧向前述发光层(4)侧于厚度方向上自1至k为止(惟,k系将1及k除外)予以减少而成者。9. 如申请专利范围第8项之化合物半导体发光元件之制造方法,其中前述挥发性化合物半导体基板(1)系选自由GaAs、GaP、InAs及InP而成之组群体中之化合物半导体而成。10. 如申请专利范围第8项之化合物半导体发光元件之制造方法,其中含镓之有机金属原料系选自由三甲基镓及三乙基镓而成之组群中之材料,而含有铟之有机金属原料系选自由三甲基铟及三乙基铟而成之组群体之材料。图示简单说明:图1系表示利用本发明之化合物半导体发光元件之一例之构造之截面图。图2系表示供制造采用本发明之有机金属氯化物气相磊晶成长法之化合物半导体发光元件用之气相成长装置之概略构成之图。图3系表示本发明之化合物半导体发光元件之其他例之构造之截面图。 |
