| 主权项 |
1. 一种液晶显示晶格,包含:一对透明基片;一层液晶分子夹在该对透明基片之间;以及用以正向导正液晶分子方位之装置,配置于至少该一基片上且具许多不同方位取向之微分域,该方位取向在各微分域为均一的。2. 如申请专利范围第1项之液晶显示晶格,其中该正向方位装置包含一种光学偏光记忆膜。3. 如申请专利范围第1项之液晶显示晶格,其中该正向方位装置系形成于该二基片上。4. 如申请专利范围第2项之液晶显示晶格,其中该正向方位装置系形成于该二基片上。5. 如申请专利范围第1项之液晶显示晶格,其中该微分域之方位取向以实质相等之概率实质地发生于每一方向。6. 如申请专利范围第1项之液晶显示晶格,其中该液晶层包含液晶分子在各微分域排成一个方向,或是液晶分子从一基片之一边至另一基片之一边扭转一预定角度。7. 如申请专利范围第1项之液晶显示晶格,其中该晶格包含许多图素,该正向方位装置至少在该透明基片之一上界定至少一组四个微分域,在图素区域中,这四个微分域具有包含预倾斜角之不同方位取向,且该四个微分域之方位取向在毗邻之微分域间差90度或180度。8. 如申请专利范围第7项之液晶显示晶格,其中该四个微分域构成一图素区域,且该四个微分域相对于该图素区域中心为对称形状。9. 如申请专利范围第8项之液晶显示晶格,尚包含透明电极,配置于该图素区域内该基片之各表面上,该透明电极其中之一在其一部分处具一切断部分,当施加电压于该等电极间时,产生一倾斜边际场。10. 如申请专利范围第9项之液晶显示晶格,其中电极之该切断部分系配置于该图素之中心部分,所有该四个微分域在此处彼此互相接触。11. 如申请专利范围第7项之液晶显示晶格,其中许多单位区域(各含该四个微分域)之组合构成一图素而且在该单位区域内之该四个微分域相对于该单位区域中心为对称形状。12. 如申请专利范围第11项之液晶显示晶格,尚包含透明电极形成于各该单位区域内之该对基片之表面上,该透明电极之一在该单位区域中心部分具一预定形状之切断部分,此处该四个微分域彼此互相接触。13. 如申请专利范围第9项之液晶显示晶格,其中该切断部分具一延长部分,延伸于相邻分域间之边界。14.如申请专利范围第12项之液晶显示晶格,其中该切断部分具一延长部分,延伸于相邻分域间之边界。15.如申请专利范围第1项之液晶显示晶格,其中该正向方位装置无预倾斜,界定一具备两微分域之图素区域,其中微分域之图素,其方位取向彼此差90度,尚包含透明电极,配置于该对基片上且在该单位区域中心部分该透明电极部分之一电极上具一切断部分,该切断部分延伸于相邻分域。16. 如申请专利范围第7项之液晶显示晶格,其中该液晶层之液晶分子的主轴沿液晶层之厚度扭转近乎90度。17. 如申请专利范围第7项之液晶显示晶格,尚包含一对偏光器,具偏光轴配置成彼此垂直,并夹住该对基片,其中该微分域之一和毗邻该偏光轴之一的方位取向彼此平行或垂直。18. 如申请专利范围第7项之液晶显示晶格,尚包含一对偏光器,具偏光轴配置成彼此平行,并夹住该对基片,其中该微分域之一和毗邻该偏光轴之一的方位取向彼此平行或垂直。19. 如申请专利范围第1项之液晶显示晶格,其中该液晶层包含一向列或非对称向列液晶且具一d/p値,其中p表示该向列或非对称向列液晶之非对称节距而d表示液晶层在由该透明基片夹住方向之厚度,满足公式:近乎0<d/p<近乎0.75。20. 如申请专利范围第19项之液晶显示晶格,其中该液晶层含非对称向列液晶,且该d/p値至少等于0.25。21.一种液晶显示晶格之制法,含步骤如下:在至少一对透明基片之一上藉由涂布一具备光学偏光记忆特性之方位薄膜形成正向方位装置,然后照射许多数不同偏光方向之偏光光线于该薄膜之不同区域上以形成许多彼此具不同方位取向之微分域,各该微分域具备一均一之方位取向;使用该对基片来组合一晶格以用于包含液晶材料;以及将液晶材料注入该对透明基片之间且含加热该晶格。22. 如申请专利范围第21项之液晶显示晶格之制法,其中形成正向方位装置之该步骤含形成方位薄膜之步骤,其中方位薄膜在至少该透明基片之一上具备光学偏光记忆特性,以及将一光点为该微分域大小之偏光雷射光线照射在该具有光学偏光记忆特性之方位薄膜上时,移动该照射点以扫描该方位薄膜。23. 如申请专利范围第22项之液晶显示晶格之制法,其中该形成正向方位装置之步骤尚包含改变该偏光雷射光线偏光方向之步骤,同时移动该偏光雷射光线之该照射点。24. 如申请专利范围第23项之液晶显示晶格之制法,其中该改变偏光方向之步骤包含经由具有预定偏光轴之一偏光器传输该雷射光线,并绕该震射光线之一光轴旋转该偏光器。25. 如申请专利范围第24项之液晶显示晶格之制法,其中该光束点为狭缝状长方形。26. 如申请专利范围第21项之液晶显示晶格之制法,其中该形成正向方位装置之步骤包含经由一偏光器光罩传输该雷射光线之步骤,此光罩具有不同偏光方向之分散多重微分域,且经由在该方位薄膜上之光罩照射一传输光线,该方位薄膜具偏光记忆特性。27. 如申请专利范围第21项之液晶显示晶格之制法,其中该形成正向方位装置之步骤形成许多四个微分域组,在至少该对透明基片之一上之具有不同方位取向,该四个微分域之方位取向在两毗邻微分域间差90度或180度。28. 如申请专利范围第27项之液晶显示晶格之制法,尚包含在该对基片表面上形成透明电极之步骤,该等透明电极之一以一预定形状在其一部分处具有一切断部分。29. 如申请专利范围第21项之液晶显示晶格之制法,其中该形成正向方位装置之步骤尚包含步骤如下:在该透明基片表面上之一图素区域形成透明电极;以及在该等透明电极之一之部分形成一预定形状之切断部分,其中多组之二微分域形成在晶格内,此微分域具近乎零倾斜和彼此相差90度之方位取向。30. 如申请专利范围第21项之液晶显示晶格之制法,其中该注入液晶材料之步骤含加热该基片至等于或高于该液晶材料之向列等向性相位过渡温度(N-I点)之温度,且在该基片之间注入该液晶材料。31. 如申请专利范围第30项之液晶显示晶格之制法,其中该注入液晶材料之步骤尚含加热该液晶材料等于或高于N-I点之温度。32. 如申请专利范围第21项之液晶显示晶格之制法,其中该形成正向方位装置之步骤,在该对基片上形成方位装置,以及该组合一晶格之步骤包含以对齐之关系定位该对基片,使得在该对基片间之各微分域产生一预定数値之扭角。图示简单说明:图1A至1F为根据本发明之一实例之放大图,表示基片方位取向之处理状态。图2A和2B为根据本发明之一实例之液晶显示晶格结构之概要切面图。图3根据本发明之一实例,在液晶显示晶格之基片上作方位处理之装置的透视图。图4根据本发明之一实例;表示基片方位取向之处理状态的放大图。图5为另一装置之透视图,在根据本发明之一实例中液晶显示晶格之基片上作方位处理。图6A和6B为根据本发明一实例之液晶显示晶格的切面图。图7为根据本发明一实例,当液晶材料注入液晶显示晶格时之概要切面图。图8A和8B为放大平面图,表示根据本发明一实例之基片中方位取向处理状态之例子。图9A至9E为放大平面图,表示根据本发明一实例,在图素电极部分提供有切断之基片中方位取向处理状态之例子。图10为一表示由切断区产生偏斜电场例子之放大切面图,其中之切断区提供在根据本发明实例之图素电极部分。图11A至11C为放大平面图,表示根据本发明实例之基片中 |
