| 主权项 |
1.一种动作模式设定电路,用以产生表示半导体装置之动作模式用之内部信号;其特征为:备有变更机构,用以回应动作模式切换信号而变更由外部给予之外部信号之状态和该内部信号之状态的对应关系。2.如申请专利范围第1项之动作模式设定电路,其中,该变更机构包含有一变换输出机构,用以在该动作模式切换信号为第1位阶时将处于第1状态之外部信号输出作为处于该第1状态之内部信号;且于该动作模式切换信号为第2位阶时,将处于该第1状态之外部信号变换成处于和该第1状态不同之第2状态的内部信号,而予以输出。3.如申请专利范围第1项之动作模式设定电路,其中,该变更机构系包含有一变换输出机构,用以回应该动作模式切换信号之第1位阶,将处于第1状态之外部信号输出作为对应于该第1状态之内部信号;并回应该动作模式切换信号之第2位阶,将处于第2状态之外部信号变换成对应于该第1状态之内部信号而予以输出。4.如申请专利范围第1项之动作模式设定电路,其中,该变更机构包含有一反相器,用以回应该第2位阶之动作模式切换信号,将外部信号予以反相,而输出作为该内部信号。5.如申请专利范围第1项之动作模式设定电路,其中,该外部信号及该内部信号系分别以多位元信号构成;而该变更机构包含有一切换机构,用以回应该动作模式切换信号,而将接受该外部信号之输入节点与输出该内部信号之输出节点间之连接予以切换。6.如申请专利范围第1项之动作模式设定电路,其中,该半导体装置为具有多数储存单元之半导体记忆装置;且该外部信号包含有用以控制对该多数之储存单元之存取的信号。7.如申请专利范围第1项之动作模式设定电路,其中,该半导体装置为具有多数储存单元之半导体记忆装置;且该外部信号包含有用以指定该多数之储存单元之被存取之储存单元的多位元位址信号之既定的位元。图示简单说明:图1为概略显示依本发明之半导体装置之整体构成之图式。图2为显示图1所示模式指定信号产生电路之构成之一例之图式。图3A为概略显示依本发明之实施形态1之对应规定电路之构成之图式。图3B为显示其动作之定时图。图4为显示产生图1所示之动作模式切换信号之部分之构成的图式。图5为显示在本发明之实施形态1中之对应规定电路之具体之构成的图式。图6为显示依本发明之对应规定电路之变更例之构成的图式。图7为概略显示依本发明之实施形态2之对应规定电路之构成的图式。图8为显示图7所示之扰频电路及非扰频电路之具体之构成的图式。图9为概略显示依本发明之实施形态3之对应规定电路之构成的图式。图10为显示图9所示之扰频/非扰频电路之构成的图式。图11为显示依本发明之实施形态4之半导体装置之对应规定电路之构成之一例的图式。图12A为概略显示依本发明之实施形态5之半导体装置之要部之构成的图式。图12B为显示其动作之定时图。图13A为显示依本发明之实施形态6之半导体装置之要部之构成的图式。图13B为显示其动作之定时图。图14为概略显示习用之半导体装置之动作模式设定电路之构成的图式。图15为显示图14所示习用之动作模式设定电路之动作的定 |
