热处理装置

摘要

本发明揭示一种在热处理室(4)内收容多层之被处理基板(W)进行热处理之热处理装置(1)，于被处理基板(W)之周围配设，可以遮蔽由加热器放出而以一定之射入角度θ以上射入其周缘部之热放射之隔热构件(19)。普通在被处理基板(W)之周缘部系热放射之射入角度愈增大，愈容易受到热放射之影响，但由于如此配设之隔热构件(19)之作用，一定之射入角度(θ)以上之加热器之热放射会被挡住，因此可抑制被处理基板(W)之周缘部因热放射造成之影响。其结果，在热处理室(4)内，不仅是在常压下，纵使在减压下亦可充分减少被处理基板(W)之中心部与周缘部之面内温度差，而得到进行快速昇降温，而得提高生产量。

主权项

1. 一种在热处理室内收容被处理基板进行热处理之热处理装置,其特征为,在被处理基板之周围配设,可以遮挡射入其周缘部之一定射入角度以上之热放射之隔热构件。2. 如申请专利范围第1项所述之热处理装置,其特征为,上述隔热构件之热容量较被处理基板为大。3. 如申请专利范围第1项所述之热处理装置,其特征为,上述隔热构件由固定在搭载被处理基板之基板支持具之支柱之环状板所构成。4. 如申请专利范围第1项所述之热处理装置,其特征为,上述隔热构件由不透明石英构成。5. 如申请专利范围第1项所述之热处理装置,其特征为,上述隔热构件由碳化矽所构成。6. 如申请专利范围第1项所述之热处理装置,其特征为,上述热处理装置为分批式纵型热处理装置。7. 如申请专利范围第1项所述之热处理装置,其特征为,上述热处理装置为热壁(Hot wall)型之叶片式热处理装置。8. 如申请专利范围第1项所述之热处理装置,其特征为,上述被处理基板为半导体晶片。9. 如申请专利范围第1项所述之热处理装置,其特征为,上述被处理基板为LCD基板。10. 如申请专利范围第1项所述之热处理装置,其特征为,上述隔热构件由环状板构成,其外缘部之半径为圆板状之被处理基板之半径之1.2-1.8倍。11. 一种热处理装置,其特征为,被处理基板以上下方向分开适宜之间隔成水平状且成多层搭载在,具有配置在其周围之多数支柱之基板支持具上,在该基板支持具之支柱配设有,与被处理基板大致上成上下方向相同间隔之多层之环状隔热构件。12. 如申请专利范围第11项所述之热处理装置,其特征为,上述隔热构件被配设在相邻接之被处理基板之中间位置。13. 如申请专利范围第11项所述之热处理装置,其特征为,上述环状之隔热构件将其内缘部固定在上述支柱之外侧而安装在上述支柱。14. 如申请专利范围第1项所述之热处理装置,其特征为,上述环状之隔热构件将其内缘部固定在上述支持之外侧而安装在上述支柱上,同时在上述环状隔热构件之内缘部上面,以适宜之间隔周方向配设有用以支持被处理基板之支持部。图示简单说明:第1图系表示本发明热处理装置之第1实施例之整体结构之纵向截面图。第2图系表示在本发明第1实施例之热处理装置之被处理基板搭载部之从加热器射入热放射之状态之概略纵向截面图。第3图系第2图所示被处理基板搭载部之平面图。第4图系表示晶片尺寸与放射形态系数之关系之曲线图。第5图系本发明热处理装置之第2实施例之被处理基板搭载部之概略纵向截面图。