| 主权项 |
1. 一种积体缓冲器电路,具有输入(IN)和输出(OUT),其具有介于第一(VDD)和第二(接地)供应电位之间的第一串联电路(S1),第一串联电路(S1)具有至少一电压控制之第一定电流源(I1)和第一场效应电晶体(T1),其中第一场效应电得体(T1)之闸极形成输入(IN),第一串联电路(S1)具有介于第一定电流源(I1)和第一场效应电晶体(T1)之间的电路节点,场效应电晶体(T1)形成输出(OUT),具第一定电流源(I1)可经由第一控制输入(G1)而受参考电位(Vref)控制,参考电位(Vref)相对于第一供应电位(VDD)具有一固定之电位差,其特征为:由至少一第一电阻(R1)和第二定电流源(I2)所构成之第二串联电路(S2)配置在第一(VDD)和第二供应电位(接位)之间,第二定电流源(I2)供应一种和第一供应电位(VDD)无关之电流,参考电位(Vref)在第二串联电路(S2)之介于第一电阻(R1)和第二定电流源(I2)之间的电路节点(A0上自我调整,电路节点(A)和第一定电流源(I1)之第一控制输入(G1)相连。2. 如申请专利范围第1项之积体缓冲器电路,其中第一定电流源(I1)具有第一通道可之第二场效应电晶体(P2),其闸极即为第一控制输入(G1)。3. 如申请专利范围第2项之积体缓冲器电路,其中第一通道型是P通道型,且第一通道型之第二场效应电晶体(P2)的源极和第一供应电位(VDD)相连。4. 如申请专利范围第2或第3项之积体缓冲器电路,其中第一供应电位(VDD)经由一连接成二极体(D1)之场效应电晶体而和第一电阻(R1)相连,此场效应电晶体具有和第一通道型之第二场效应电晶体(P2)相同之电特性。5.如申请专利范围第1项之积体缓冲器电路,其中第二定电流源(I2)可经由第二控制输入(G2)而受控制,且相对于第二供应电位(接地)而言具有一固定电位差之控制电位(Vconst)系和第二控制输入(G2)相连。6. 如申请专利范围第5项之积体缓冲器电路,其中第二定电流源(I2)具有第二通道型之第二场效应电晶体(N2),其闸极即为第二控制输入(G2)。7. 如申请专利范围第5或第6项之积体缓冲器电路,其中第一通道型之第三场效应电晶体(P3)和第二通道型之第三场效应电晶体(N3)串联配置在第一(VDD)和第二供应电位(接地)之间,第一通道型之第四场效应电晶体(P4),第二通道型之第四场效应电晶体(N4)以及电阻元件(R)串联配置在第一(VDD)和第二供应电位(接地)之间,第一通道型之第四场效应电晶体(P4)的闸极和汲极互相连接,第二通道型之第三场效应电晶体(N3)的闸极和汲极互相连接,第三场效应电晶体(P3)之闸极和第一通道型之第四场效应电晶体(P4)之闸极互相连接,第三场效应电晶体(N3)之闸极和第二通道型之第四场效应电晶体(N4)之闸极互相连接和第二定电流源(I2)之第二控制输入(G2)相连。8. 如申请专利范围第5或第6项之积体缓冲器电路,其中第一通道型之第三场效应电晶体(P3)以及第二通道型之第三场效应电晶体(N3)串监配置在第一(VDD)和第二供应电位(接地)之间,第一通道型之第四场效应电晶体(P4),第二通道型之第四场效应电晶体(N4)以及电阻元件(R)串联配置在第一(VDD)和第二供应电位(接地)之间,第一通道型之第四场效应电晶体(P4)之闸极和汲极互相连接,第二通道型之第三场效应电晶体(N3)之闸极和汲极互相连接,第三场效应电晶体(N3)的闸极和第二通道之第四场效应电晶体(N4)的闸极互相连接,第三场效应电晶体(P3)之闸极和第一通道型之第四场效应电晶体(P4)的闸极互相连接且和第二定电流源(I2)之第二控制输入(G2)相连。9. 如申请专利范围第1,2或3项之积体缓冲器电路,其中第一电阻(R1)是一个连接成电阻之电晶体。10. 如申请专利范围第7项之积体缓冲器电路,其中第一电阻(R1)是一个连接成电阻之电晶体。11. 如申请专利范围第8项之积体缓冲器电路,其中第一电阻(R1)是一个连接成电阻之电晶体。图示简单说明:图1和图2为本发明之实施形式。 |
