适用于LAM590机台之抗反射护层蚀刻方法

摘要

本发明系关于一种适用于ＬＡＭ５９０机台之抗反射护层蚀刻方法，尤指一可使充做为抗反射之氮化钛层电浆蚀刻作业无须在价格昂贵之ＬＡＭ４５２０机台上进行，而透过气压数值、功率及间隙之最佳化调整与搭配下，达到可适用于较低廉之ＬＡＭ５９０机台上实施，且蚀刻完成后，更无任何电弧放电缺陷(ARCING)、半导体元件临界电压漂移问题，且不致使金属附着至电极板而导致机台清理不便之问题，而提供一种可适用于ＬＡＭ５９０机台之氮化钛蚀刻方法者。

主权项

1. 一种适用于LAM590机台之抗反射护层蚀刻方法,包括:一对该抗反射护层上方之其他护层材料蚀刻之步骤;一于蚀刻至此抗反射护层材料时,为调整机台于较低气压及较大之间隙条件后,再进行此抗反射护层之蚀刻;藉上述机台之作业调整之调配,使抗反射层可在相同机台上进行者。2. 如申请专利范围第1项所述之适用于LAM590机台之抗反射护层蚀刻方法,其中该较低气压为约在1.00.2 torr者。3. 如申请专利范围第1项所述之适用于LAM590机台之抗反射护层蚀刻方法,其中该大间隙为设在0.6公分以上者。4. 如申请专利范围第1项所述之适用于LAM590机台之抗反射护层蚀刻方法,其中该大间隙为设在0.8公分为最佳者。5. 如申请专利范围第1项所述之适用于LAM590机台之抗反射护层蚀刻方法,其中该作业所施加之功率为设在890瓦特以下者。6. 如申请专利范围第1项所述之适用于LAM590机台之抗反射护层蚀刻方法,其中该作业所施加之功率为设在830瓦特为最佳者。7. 如申请专利范围第1项所述之适用于LAM590机台之抗反射护层蚀刻方法,其中该作业期间更可加入SF@ss6反应气体,以提升蚀刻速率者。图示简单说明:第一图:系表示本发明调整条件后之590机台与4520机台之各区域元件临界电压漂移数値。第二图:系表示习知制程于590与4520两机台之各区域元