| 主权项 |
1. 一种碳化矽金氧半场效电晶体,包括:-具有第一掺杂浓度之第一传导系数型之碳化矽基体(11);-位于该基体上之飘移层(12),其中飘移层具有第一传导系数型以及少于第一掺杂浓度之第二掺杂浓度;-位于飘移层之崩溃电压提高层(20),该崩溃电压提高层具有第一传导系数型以及少于第二掺杂浓度之第三掺杂浓度之表面;-位于崩溃电压提高层以及扩展至崩溃电压提高层表面之上的通道区(14),该通道区具有第一传导系数型以及少于第二掺杂浓度之第四掺杂浓度;以及-位于通道区侧壁(26)之闸极绝缘体(17),其中闸极绝缘体具有与崩溃电压提高层相接连之介面。2. 一种金氧半场效电晶体,包括:-一具有第一传导系数型及具有第一掺杂浓度之通道区(14);-位于通道区之闸极绝缘体(17);-位于闸极绝缘体之下的崩溃电压提高层(20),该崩溃电压提高层具有第一传导系数型以及不少于第一掺杂浓度之第二掺杂浓度;以及-位于崩溃电压提高层之下的飘移层(12),该飘移层具有第一传导系数型以及大于第一与第二掺杂浓度之第三掺杂浓度。3. 一种形成金氧半场效电晶体之方法,包括:-在金氧半场效电晶体之飘移层(12)与闸极绝缘体(17)之间形成一崩溃电压提高层(20),该崩溃电压提高层具有第一传导系数型以及第一掺杂浓度,而该飘移层具有第一传导系数型以及大于第一掺杂浓度之一第二掺杂浓度。图示简单说明:此单一之附图解说一种根据本发明之一种金氧半场效电晶 |
