| 主权项 |
1. 一种晶片载体,包括:一晶片载体基底,该晶片载体基底包括一第一表面、一相对于该第一表面之第二表面、至少第一及第二有机材料层,该第一层紧邻该第一表面且支承一包含有接触垫之第一电路层,有一第二电气导通材料层夹层在该第一与第二有机材料层之间,该晶片载体基底亦包括一紧邻该第二表面之金属材料层;一单段空穴,该单段空穴之深度从该第一表面向该第二表面延伸,该深度延伸至少达该金属材料层;一半导体晶片,该半导体晶片朝上地位在该空穴内部且接触该金属材料层,该晶片包括晶片接触垫与自该等晶片接触垫延伸至该第一电路层之接触垫的引线接合;及一电气导通材料区域,该导电区域在电气上与该第二电气导通材料层接触,且至少部份围绕该空穴之侧壁并延伸至该第一表面上,一引线接合亦自该晶片延伸至该第一表面上之该区域的一部份。2. 根据申请专利范围第1项之晶片载体,其中该第二电气导通材料层在电气上接地。3. 根据申请专利范围第1项之晶片载体,其中该第一电路层包括许多个电气导通垫及/或挡圈,且其中该晶片载体尚包括附接至该等垫及/或挡圈之焊球。图示简单说明:图1是本发明性晶片载体之第一种具体实例的截面图;图2是本发明性晶片载体之第二种具体实例的截面图;图3是本发明性晶片载体之第三种具体实例的截面图;图4是本发明性晶片载体之第四种具体实例的截面图;图5是本发明性晶片载体之第五种具体实例的截面图;且图6是一基底的顶视图,描写用以制造本发明性晶片载体 |
