预热处理清洁方法

摘要

本发明系关于热处理矽晶片之方法，其包括数个步骤：使矽晶片之表面与含有氢氟酸之水溶液接触，以自晶片表面清除金属，使经氢氟酸处理过之晶片与臭氧化之水接触，使矽晶片表面生出一层亲水性氧化物，并使经溴氧化水处理过的晶片加热至温度至少约300℃，历经至少约1秒钟之期间。在加热开始时，矽晶片表面上之各铁、铬、钙、钛、钴、锰、锌和钒之浓度，系低于1x109原子／平方公分。

主权项

1. 一种热处理矽晶片之方法,其系包括:使矽晶片之表面与含有氢氟酸之水溶液接触,以自晶片表面清除金属,使经氢氟酸处理过之晶片与臭氧化之水接触,以在矽晶片表面上生出一层亲水性氧化物,和使经臭氧化水处理过之晶片加热至温度至少约300℃,历经至少约1秒钟之期间,在加热开始时,晶片表面上之各铁、铬、钙、钛、钴、锰、锌和钒之浓度系低于110@