电压控制振荡电路

摘要

本发明之目的在于提供一种低电源电压动作为可能，低消费电力，具良好任务（ duty ）控制性，且可高速动作的电压控制振荡电路。本发明之解决手段为，用以产生振荡输出之第１、第２动态闩锁电路８、９系将Ｐ通道ＭＯＳ电晶体、Ｎ通道ＭＯＳ电晶体串接，并于其接点设置输出端子，根据各ＭＯＳ电晶体之闸极电压使输出反转，将输出状态动态锁定。该反转动作系依，根据该等输出作充放电之第１、第２容量元件４、６之充电电压，或经由接受充电电压之第１、第２比较电路５、７使各ＭＯＳ电晶体被设定为ＯＮ状态来进行，故和正反器之动作相较为更高速，可提升振荡频率。另外，因该等ＭＯＳ电晶体不同时变为ＯＮ状态，故可抑制贯通电流。又，因为藉由第１、第２容量元件４、６之充电速度来决定反转时序，故任务控制性良好。

主权项

1. 一种电压控制振荡电路,其特征在于系由:藉由输入电压控制电流的电流源;连接于该电流源之第1及第2CMOS换流器;连接于该第1CMOS换流器之输出,介由该第1CMOS换流器并藉来自于上述电流源之电流被充电,而且介由该第1CMOS换流器被放电的第1容量元件;根据该第1容量元件之充电电压是否大于基准电压来变化输出状态的第1比较电路;连接于第2CMOS换流器之输出,介由该第2CMOS换流器并藉由来自于上述电流源之电流被充电,而且介由第2CMOS换流器被放电的第2容量元件;根据该第2容量元件之充电电压是否大于基准电压来变化输出状态的第2比较电路;由串接之N通道、P通道MOS电晶体,及设于该等N通道、P通道MOS电晶体之连接点之输出端子所构成,而且在1个MOS电晶体之闸极连接有第1容量元件之充电电压,在另1个CMOS电晶体之闸极连接有第4CMOS换流器之输出,的第1动态闩锁电路;及由串接之N通道、P通道MOS电晶体,及设于该等N通道、P通道MOS电晶体之连接点之输出端子所构成,而且在1个MOS电晶体之闸极连接有第2容量元件之充电电压,在另1个CMOS电晶体之闸极连接有第1比较电路流器之输出,的第2动态闩锁电路所构成;而且将第1动态闩锁电路之反相输出或第2比较电路之输出连接于第1CMOS换流器之输入,将第2动态闩锁电路之反相输出或第1比较电路之输出连接于第2CMOS换流器之输入。2. 如申请专利范围第1项之电压控制振荡电路,其中上述第1动态闩锁电路及第2动态闩锁电路系于上述接点具有寄生容量者。3. 如申请专利范围第1项之电压控制振荡电路,其中上述第1动态闩锁电路及第2动态闩锁电路之输出间将2个CMOS换流器以互为反向并接者。4. 一种电压控制振荡电路,其特征在于系由:藉由输入电压控制电流的电流源;连接于该电流源之第1及第2CMOS换流器;连接于该第1CMOS换流器之输出,介由该第1CMOS换流器并藉来自于上述电流源之电流被充电,而且介由该第1CMOS换流器被放电的第1容量元件;根据该第1容量元件之充电电压是否大于基准电压来变化输出状态的第1比较电路;连接于该第1比较电路之输出的第3CMOS换流器;连接于第2CMOS换流器之输出,介由该第2CMOS换流器并藉由来自于上述电流源之电流被充电,而且介由第2CMOS换流器被放电的第2容量元件;根据该第2容量元件之充电电压是否大于基准电压来变化输出状态的第2比较电路;连接于该第2比较电路之输出的第4CMOS换流器;由串接之N通道、P通道MOS电晶体,及设于该等N通道、P通道MOS电晶体之连接点之输出端子所构成,而且在1个MOS电晶体之闸极连接有第1比较电路之输出,在另1个CMOS电晶体之闸极连接有第4CMOS换流器之输出,的第1动态闩锁电路;及由串接之N通道、P通道MOS电晶体,及设于该等N通道、P通道MOS电晶体之连接点之输出端子所构成,而且在1个MOS电晶体之闸极连接有第2比较电路之输出,在另1个CMOS电晶体之闸极连接有第4CMOS换流器之输出,的第2动态闩锁电路所构成;而且将第1动态闩锁电路之输出或第2比较电路之反相输出连接于第1CMOS换流器之输入,将第2动态闩锁电路之输出或第1比较电之反相输出连接于第2CMOS换流器之输入;此处同样地,较好是在第1动态闩锁电路与第2动态闩锁电路之输出间将2个CMOS换流器互以相反方向并接。5.如申请专利范围第4项之电压控制振荡电路,其中上述第1动态闩锁电路及第2动态闩锁电路系于上述接点具有寄生容量者。6. 如申请专利范围第4项之电压控制振荡电路,其中上述第1动态闩锁电路及第2动态闩锁电路之输出间将2个CMOS换流器以互为反向并接者。7. 一种电压控制振荡电路,其特征在于系由:藉由输入电压控制电流的电流源;连接于该电流源之第1及第2CMOS换流器;连接于第1CMOS换流器之输出及第2CMOS换流器之输出之间,藉由来自于上述电流源之电流并介由第1CMOS换流器或第2CMOS换流器作双向交互充电的容量元件;藉检测经由第1CMOS换流器充电时之上述容量元件之充电电压是否大于基准电压来变化输出状态的第1比较电路;藉检测经由第2CMOS换流器充电时之上述容量元件之充电电压是否大于基准电压来变化输出状态的第2比较电路;由串接之N通道、P通道MOS电晶体,及设于该等N通道、P通道MOS电晶体之连接点之输出端子所构成,而且在一个MOS电晶体之闸极连接有介由第1CMOS换流器充电时之上述容量元件之充电电压,在另一个CMOS电晶体流器之闸极连接有第2比较电路之输出的第1动态闩锁电路;及由串接之N通道、P通道MOS电晶体,及设于该等N通道、P通道MOS电晶体之连接点之输出端子所构成,而且在一个MOS电晶体之闸极连接有介由第2CMOS换流器充电时之上述容量元件之充电电压,在另一个MOS电晶体之闸极连接有第1比较电路之输出的第2动态闩锁电路所构成;而且将第1动态闩锁电路之反相输出或第2比较电路之输出接于第1CMOS换流器之输入,将第2动态闩锁电路之反相输出或第1比较电路之输出接于第2CMOS换流器之输入者。8. 如申请专利范围第7项之电压控制振荡电路,其中上述第1动态闩锁电路及第2动态闩锁电路系于上述接点具有寄生容量者。9. 如申请专利范围第7项之电压控制振荡电路,其中上述第1动态闩锁电路及第2动态闩锁电路之输出间将2个CMOS换流器以互为反向并接者。10. 一种电压控制振荡电路,其特征在于系由:藉由输入电压控制电流的电流源;连接于该电流源之第1及第2CMOS换流器;连接于第1CMOS换流器之输出及第2CMOS换流器之输出之间,藉由来自于上述电流源之电流并介由第1CMOS换流器或第2CMOS换流器作双向交互充电的容量元件;藉检测经由第1CMOS换流器充电时之上述容量元件之充电电压是否大于基准电压来变化输出状态的第1比较电路;连接于该第1比较电路之输出的第3CMOS换流器;藉检测经由第2CMOS换流器充电时之上述容量元件之充电电压是否大于基准电压来变化输出状态的第2比较电路;连接于该第2比较电路之输出的第4CMOS换流器;由串接之N通道、P通道MOS电晶体,及设于该等N通道、P通道MOS电晶体之连接点之输出端子所构成,而且在一个MOS电晶体之闸极连接有第1比较电路之输出,在另一个CMOS电晶体之闸极连接有第4CMOS换流器之输出的第1动态闩锁电路;及由串接之N通道、P通道MOS电晶体,及设于该等N通道、P通道MOS电晶体之连接点之输出端子所构成,而且在一个MOS电晶体之闸极连接有第2比较电路之输出,在另一个MOS电晶体之闸极连接有第3CMOS换流器比较电路之输出的第2动态闩锁电路所构成;而且将第1动态闩锁电路之输出或第2比较电路之反相输出接于第1CMOS换流器之输入,将第2动态闩锁电路之输出或第1比较电路之反相输出接于第2CMOS换流器之输入者。11. 如申请专利范围第10项之电压控制振荡电路,其中上述第1动态闩锁电路及第2动态闩锁电路系于上述接点具有寄生容量者。12. 如申请专利范围第10项之电压控制振荡电路,其中上述第1动态闩锁电路及第2动态闩锁电路之输出间将2个CMOS换流器以互为反向并接者。13. 如申请专利范围第1-12项中任一项之电压控制振荡电路,其中设有第1.第2副充电电路俾响应于第1.第2容量元件之各个充电电压超过基准电压时用以加速上述充电电压之上昇。14. 如申请专利范围第1-12项中任一项之电压控制振荡电路,其中第1及第2比较电路均同时设有,在互为不同电位之电源端子之间,连接互为不同导电型之MOS电晶体之各个汲极而成之串联电路,以该接点作为输出端,以一个MOS电晶体之闸极作为输入端,由与该等第1及第2比较电路之另一个MOS电晶体为相同导电型之MOS电晶体所构成,将源极接于上述另一个MOS电晶体之源极侧之电源端,将汲极分别接于第1.第2容量元件,将闸极接于第1.第2比较电路之上述连接点的第1.第2副充电电路者。图示简单说明:图1:本发明第1实施例之电压控制振荡电路之构成电路图。图2:图1之重要部分之构成之说明图。图3:图2之动作说明图。图4:图1之动作说明图。图5:图1之动作说明图。图6:图1之动作说明图。图7:本发明第2实施例之电压控制振荡电路之构成电路图。图8:图7之动作说明用之波形图。图9:图1及图7之构成之一部分变更例之表示说明图。图10:图1及图7之构成之一部分变更例之表示说明图。图11:图7之重要部分之动作说明用之波形图。图12:图7之重要部分之动作说明用之波形图。图13:本发明第3实施之电压控制振荡电路之构成电路图。图14:图13之动作说明用之波形图。图15:第3实施例之构成之一部分变更例之表示说明图。图16:第1实施例之构成之变更例之表示说明图。图17:习知技术之构成说明图。图18:习知技术之构成说明图。图19:习知技术之构成说明图。图20:本发明第1实施例之构成之一部分变更例之动作原理说明用之波形图。图21:本发明第1实施例之构成之一部分变更例之表示说明图。