发明名称 线结合方法、半导体装置、用以线结合之微管及珠状曞形成之方法
摘要 一种引线接合方法,其包括有一个用以在引线中形成第一珠状部份并将该第一珠状部份接合于第一连结元件之第一段接合制程;一个用以将该引线导离引线接合于内部导件之处以形成一个预定环路,并在引线中预设位置形成第二珠状部份之珠状部份形成制程;以及一个用以将该第二珠状部份接合于一个用作第二连结元件之半导体元件衬垫之第二接合段制程。
申请公布号 TW301794 申请公布日期 1997.04.01
申请号 TW085104176 申请日期 1996.04.09
申请人 富士通股份有限公司 发明人 佐藤光孝;河西纯一;埜本隆司;螚和人
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼;恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1. 一种引线接合方法,其包括:一个用以形成引线中第一珠状部份并将该第一珠状部份接合于一个第一连接元件之第一段接合制程;一个用以将该引线导离该第一连接元件以形成一段预设环路并在该引线预设位置中形成第二珠状部份之珠状部份形成制程;以及一个用以将该第二珠状部份接合于一个第二连接元件之第二段接合制程。2. 如申请专利范围第1项之引线接合方法,其中,在该珠状部份形成制程中,该第二珠状部份形成于该引线尚未截断时。3. 如申请专利范围第1项之引线接合方法,其中至少该第二珠状部份系以火花放电形成。4. 如申请专利范围第1项之引线接合方法,其中在该第一珠状部份接合于该第一连接元件后大体上垂直向上导引该引线,然后水平地导引该引线,大体上形成一个直角,然后形成该第二珠状部份并将其接合于第二连接元件。5. 一种引线接合方法,其包括之步骤为:根据如申请专利范围第1项之引线接合方法装置第一段引线;在第二段引线中形成第三珠状部份并将该第三珠状部份接合于第二连接元件;以及将该第二段引线导离该第二连接元件以在该第一段引线之上形成一段环路,并将该第二段引线针脚状接合于第一连接元件。6. 如申请专利范围第1项之引线接合方法,其中以一个导件架作为该第一连接元件,以一个半导体元件作为该第二连接元件。7. 如申请专利范围第1项之引线接合方法,其中以一个半导体作为该第一连接元件与该第二连接元件。8.如申请专利范围第1项之引线接合方法,其中以一条细金线作为该引线,并利用一种珠状接合制程以至少将该第二珠状部份接合于该第二连接元件。9. 一种半导体装置,其包括:一个半导体元件;一个导件;以及一条连接该半导体元件与该导件之引线;其中该导件系利用形成于该引线中之第一珠状部份直接接合于该引线,利用形成于该引线中之第二珠状部份将一个形成于该半导体元件中之电极直接接合于该引线,以及该引线形成一段大体上为L形之环路,其包括有一段大体上垂直延伸自该引线接合于该导件处之垂直部份,以及一段水平延伸自该半导体元件接合于该引线处之水平部份。10. 一种用于将引线接合于连接元件之接合制程中的引线接合微管,其中微管主体之末端包括有一个突出物。11. 如申请专利范围第10项之引线接合微管,其中用以将该引线接合于该连结元件之接合部份形成于微管主体之末端,而且一个用以施压于由该连结元件中该接合部份所形成之珠状部份的加压部份形成于邻近该接合部份处。12. 一种利用如申请专利范围第10项之引线接合微管之珠状块形成方法,该珠状块形成方法包括:一种用以在引线中形成珠状部份并利用该引线接合微管末端部份将该珠状部份接合于连接元件之接合制程;一种藉着将该引线接合微管抽离该引线接合于该连接元件之处而截断该引线,用以在该连接元件上形成珠状块之珠状块形成制程;以及一种利用该引线接合微管环绕该末端部份之部份施压于该珠状块,用以将该珠状块之上部主表面弄平之塑形制程。13. 一种利用如申请专利范围第11项之引线接合微管之珠状块形成方法,该珠状块形成方法包括:一种用以在引线中形成珠状部份并利用装置于该引线接合微管中之接合部份将该珠状部份接合于连接元件之接合制程;一种藉着将该引线接合微管抽离该引线接合于该连接元件之处而截断该引线,用以在该连接元件上形成珠状块之珠状块形成制程;以及一种利用装置于该引线接合微管中之加压部份施压于该珠状块,用以将该珠状块之上部主表面弄平之塑形制程。图示简单说明:第1图所示为一个传统的前向接合;第2图所示为一个传统的后向接合;第3A、3B与3C图说明珠状接合;第4A、4B与4C图说明针脚状接合;第5A图系显示如何利用珠状接合制程将引线接合于衬垫之透视图;第5B图系显示接合位置之顶视图;第6A图系显示如何利用针脚状接合制程将引线接合于内部导件之透视图;第6B图系显示接合位置之顶视图;第7图系阐释一个传统后向接合之问题;第8图系阐释一个传统后向接合之问题;第9图系显示一个第一珠状部份如何形成;第10图系显示如何将第一珠状部份接合于导件架;第11图系显示如何将引线导引至衬垫;第12图系显示一个第二珠状部份如何形成;第13图系显示如何将第二珠状部份接合于衬垫;第14图系显示一种将第二珠状部份接合于衬垫之情况;第15图系比较根据本发明之引线接合方法所形成之引线环路以及根据传统引线接合方法所形成之引线环路;第16图系根据本发明之半导体装置的侧截面图;第17图所示为本发明之引线接合方法的一种变化;第18图所示为本发明之引线接合方法应用于多晶片组件的一种实施例;第19A图系根据本发明之微管的前视图;第19B图系以放大尺寸显示近于微管末端之部分的侧截面图;第20图所示为用以形成珠状块之方法,特别是显示金珠之形成;第21图系显示一种将金珠接合于衬垫之情况;第22图系显示一种珠状块形成之情况;第23图系显示一种用以塑形珠状块之制程;第24图所示为一种塑形珠状块;第25图所示为用以将引线接合于珠状块之引线接合制程,特别是阐释一种用以在引线中形成珠状部份之方法;第26图系阐释一种用以将珠状部份接合于导件架之方法;第27图系显示一种将引线导引至珠状块之情况;第28图系显示一种将引线接合于珠状块之情况;
地址 日本