发明名称 A method of fabricating a bipolar transistor on a substrate and a bipolar transistor manufactured by the method
摘要
申请公布号 IN178391(B) 申请公布日期 1997.04.19
申请号 IN1988DE04819 申请日期 1988.01.20
申请人 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 发明人 SHAF RAJIV RAJARAM;TRAN TOAN
分类号 H01L21/00;(IPC1-7):H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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