具有改良耦合比的电性可消除可程式唯读记忆体单元

摘要

一种形成EEPROM单元之方法。此方法在一晶圆上形成一通道氧化物层，并以具有侧壁之浮闸在通道气化物层上形成浮闸。隔离区邻接侧壁而形成。一等角之ONO绝缘层以化学蒸气淀积而形成在浮闸及侧壁之上。接下来，一选择性之蚀刻材料层淀积在晶圆上而遍及等角绝缘层。一抛光阻挡层淀积在晶圆上而覆盖于选择性蚀刻材料层之上以界定一在浮闸之上的上方抛光表面。曝光的抛光阻挡层及在底下之选择性蚀刻材料以淀积一氧化物层于抛光阻挡层之上而去除，且然后将与浮闸上之一上方抛光表面的该抛光阻挡层共同面的淀积层抛光。抛光阻挡层之曝露部分被去除以曝露在浮闸之上及邻接侧壁之侧壁区域之上的选择性蚀剂层。然后，曝露之选择性蚀刻层被去除，露出等角之绝缘层。最后，一控制闸藉淀积一控制闸层于浮闸之上且在侧壁区域之内，并加图样于控制闸层而形成。加有图样之控制闸在浮闸之上延伸并沿着浮闸侧壁。控制闸-浮闸电容器面积包括有浮闸侧壁。

主权项

1.一种形成一EEPROM单元之方法包含以下步骤:a)在一晶圆上形成一第一氧化物层并在此第一氧化物层上形成一浮闸,该浮闸具有侧壁;b)在该浮闸及该等侧壁上形成一等角之绝缘层;c)在该晶圆上淀积一选择性蚀刻材料层而遍及该等角绝缘层;d)在该晶圆上积一抛光阻挡层而遍及该选择性蚀刻材料层,因而在该浮闸之上界定一上方抛光表面;e)选择性地去除该抛光阻挡层及该选择性蚀刻材料层以沿着该浮闸及该等侧壁曝露该等角绝缘层;f)形成一控制闸遍及沿着该等侧壁延伸之该等角绝缘层,如此浮闸─控制闸电容器之面积包括侧壁之面积。2.如申请专利范围第1项之方法,其中选择地去除之步骤包括以下步骤:1)在该抛光阻挡层上淀积一氧化物层并抛光该与该抛光阻挡层同面之淀积氧化物层,因而在该浮闸之上曝露该上方抛光表面;2)去除抛光阻挡层之曝露部分,因而在该浮闸及在邻接该等侧壁之侧壁区域之上曝露该选择蚀刻层;及3)去除该曝露之选择蚀刻层,因而曝露该等角绝缘层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中形成控制闸之步骤包含以下步骤:1)在该浮闸之上及该侧壁区域之内淀积一控制闸层;及2)将该控制闸层加图样;因而延伸遍及该浮闸及在该等侧壁区域内界定一控制闸。4.如申请专利范围第1项之方法,其中第一氧化物层为一具有40A厚度之通道氧化物层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中等角绝缘层为一ONO层。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该ONO层相等之厚度为150A。7.如申请专利范围第1项之方法,其中选择性蚀刻材料为氮化硼。8.如申请专利范围第1项之方法,其中选择性蚀刻材料为氧化铝。9.如申请专利范围第1项之方法,其中抛光阻挡层为一层氮化矽。10.如申请专利范围第2项之方法,其中氧化物层系以化学蒸气淀积来淀积。11.如申请专利范围第2项之方法,其中步骤(2)之去除曝露部分,抛光阻挡层被湿蚀刻掉。12.如申请专利范围第2项之方法,其中步骤(2)之去除曝露部分,抛光阻挡层被乾蚀刻掉。13.如申请专利范围第1项之方法,其中浮闸为聚矽物且控制闸为n+掺杂之聚矽物。14.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(a)之形成通道氧化物层及浮闸更包括形成邻接该等侧壁之隔离区域。15.一种形成一列EEPROM单元之方法,该方法包含以下步骤:a)在一晶圆上形成一通道氧化物层并在通道氧化物层上形成一列浮闸,每一该浮闸具有侧壁,并形成邻接该等侧壁之隔离区域;b)在该等浮闸上并沿着该等侧壁形成一等角ONO层;c)在该晶圆上淀积一选择性蚀刻材料层而遍及该等角ONO层;d)在该晶圆上淀积一抛光阻挡层而遍及选择性蚀刻材料层,因而在该浮闸之上界定一上方抛光表面;e)在该抛光阻挡层上淀积一绝缘层并抛光该与该抛光阻挡层同面之淀积绝缘层,因而在该等浮闸之上曝露该上方抛光表面;f)去除该抛光阻挡层之曝露部分,因而在该等浮闸之上及邻接该等侧壁之侧壁区域曝露该选择性蚀刻层;g)去除该曝露之选择性蚀刻层,因而在该浮闸上及沿着该等侧壁曝露该等角ONO;及h)形成多个控制闸遍及沿着该等侧壁延伸之该等角ONO层,如此,在该每一浮闸中,浮闸─控制闸之面积包括侧壁之面积。16.如申请专利范围第15项之方法,其中形成控制闸之步骤(d)包含以下步骤:1)在该等浮闸之上及该侧壁区域之内淀积一控制闸:及2)将该控制闸层加图样,因而界定该多个延伸遍及该等浮闸及在该等侧壁区域内之控制闸。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该ONO层具有一150A之相等厚度。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该通道氧化物层具有一40A之厚度。19.如申请专利范围第18项之方法,其中选择性蚀刻材料为氮化硼。20.如申请专利范围第18项之方法,其中选择性蚀刻材料为氧化铝。21.如申请专利范围第18项之方法,其中抛光阻挡层为一层氮化矽。22.如申请专利范围第21项之方法,其中淀积之绝缘层为一氧化物层且以化学蒸气淀积而淀积。23.如申请专利范围第22项之方法,其中在去除曝露部分之步骤(f)中,抛光阻挡层被湿蚀刻掉。24.如申请专利范围第22项之方法,其中在去除曝露部分之步骤(f)中,抛光阻挡层被乾蚀刻掉。25.如申请专利范围第22项之方法,其中浮闸为掺杂之聚矽物且控制闸为n+掺杂之聚矽物。26.一种形成一列EEPROM单元之方法,该方法包含以下步骤:a)在一晶圆上形成一通道氧化物层并在通道氧化物层上形成一列浮闸,每一该浮闸具有侧壁,并形成邻接该等侧壁之隔离区域;b)在该等浮闸及该等侧壁上形成一150A厚之等角ONO层;c)在该晶圆上淀积一选择性蚀刻材料层而遍及该等角ONO层;d)在该晶圆上淀积一氧化矽之抛光阻挡层而遍及选择性蚀刻材料层,因而在该等浮闸之上界定一上方抛光表面;e)使用化学蒸气淀积(CVD)在该抛光阻挡层上淀积一氧化物层并抛光该与该抛光阻挡层同面之CVD氧化物层,因而在该等浮闸之上曝露该上方抛光表面;f)去除该抛光阻挡层之曝露部分,因而在该等浮闸之上及邻接该等侧壁之侧壁区域之上曝露该选择性蚀刻层;g)去除该曝露之选择性蚀刻层,因而在该浮闸上及沿着该等侧壁曝露该等角ONO层;及h)形成控制闸遍及沿着该等侧壁延伸之该等角ONO层,如此,该等控制闸由以下所形成:1)在该等浮闸之上及该等侧壁区域内淀积一n+掺杂之聚矽物的控制闸层,2)及将该控制闸层加图样,因而界定延伸遍及该等浮闸且在该等侧壁区域及控制闸,如此浮闸─控制闸电容器之面积包括侧壁之面积,及3)植入以形成单元之源极及汲极。27.如申请专利范围第26项之方法,其中选择性蚀刻材料为氮化硼。28.如申请专利范围第26项之方法,其中选择性蚀刻材料为氧化铝。29.如申请专利范围第26项之方法,其中在去除曝露部分之步骤(f)中,抛光阻挡层被湿蚀刻掉。30.如申请专利范围第26项之方法,其中在去除曝露部分之步骤(f)中,抛光阻挡层被乾蚀刻掉。图示简单说明:图1为一先前技艺之EEPROM单元的截面图示。图2A-E图示根据本发明之较佳具体实施例之形成一EEPROM单元的步骤。