发明名称 高活性催化剂
摘要 本发明系提供以γ氧化铝为基础之高活性催化剂,包括以一或数种具催化括性之金属所浸清之基质,该催化剂另外包括表面微晶尺寸小于25埃之氧化铝毫微结晶相。也提供制备这些高活性催化剂之方法及其各种用途。
申请公布号 TW306887 申请公布日期 1997.06.01
申请号 TW084104505 申请日期 1995.05.05
申请人 氰特科技股份有限公司 发明人 文生.约瑟.洛斯塔格里欧;彼得.约瑟.夏克斯;詹姆士.唐纳德.卡路特斯
分类号 B01J21/04 主分类号 B01J21/04
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种包含微粒状多孔性担体之催化剂组合物,该担体包含氧化铝,其具有以氮吸附测量为至少100平方公尺的表面积,及以汞孔隙法测量为每公克至少0.25立方公分孔隙体积,并经以一或数种具催化活性金属浸渍,该组合物系特征于该催化剂进一步包括一部份表面微晶尺寸至高25埃之氧化铝毫微结晶相。2.根据申请专利范围第1项之催化剂组合物,其特征是催化剂包括该毫微结晶相,以及在催化剂表面的微晶尺寸大于30埃之氧化铝。3.根据申请专利范围第1项之催化剂组合物,其特征是氧化铝之毫微结晶相具有的表面微晶尺寸从8埃至25埃。4.根据申请专利范围第1项之催化剂组合物,其特征是催化剂具有至少双模型之内孔结构。5.根据申请专利范围第4项之催化剂组合物,其特征是催化剂具有双模型之间隙孔结构,利用去吸附等温线的氮孔隙率法,测量出具有孔隙度尖峰落在孔隙尺寸是40埃或更小的第一区内,及落在孔隙尺寸是50埃或更大的第二区内。6.根据申请专利范围第5项之催化剂组合物,其特征是催化剂具有双模型之内孔结构,利用去吸附等温线的氮孔隙率法,测量出具有孔隙度尖峰落在孔隙尺寸是20埃至40埃的第一区内,及落在孔隙尺寸是50埃至150埃的第二区内。7.根据申请专利范围第1项之催化剂组合物,其特征是将担体以一或数种选自包括VIB族及VIII族金属的催化活化过渡金属进行浸渍。8.根据申请专利范围第7项之催化剂组合物,其特征是将担体再以促进剂浸渍。9.根据申请专利范围第8项之催化剂组合物,其特征是该促进剂是磷。10.根据申请专利范围第7项之催化剂组合物,其特征是将担体以一或数镍、钴、钼及钨浸渍。11.根据申请专利范围第10项之催化剂组合物,其特征是将担体再以磷浸渍。12.根据申请专利范围第10项之催化剂组合物,其特征是将担体以MoO3计算至多35重量%的钼及以CoO计算至多9重量%的钴浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。13.根据申请专利范围第11项之催化剂组合物,其特征是将担体以MoO3计算至多35重量%的钼及以CoO计算至多9重量%的钴及以P2O5计算至多10重量%的磷浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。14.根据申请专利范围第10项之催化剂组合物,其特征是将担体以MoO3计算至多35重量%的钼及以NiO计算至多7重量%的镍浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。15.根据申请专利范围第11项之催化剂组合物,其特征是将担体以MoO3计算至多35重量%的钼及以NiO计算至多7重量%的镍及以P2O5计算至多10重量%的磷浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。16.根据申请专利范围第10项之催化剂组合物,其特征是将担体以MoO3计算至多20重量%的钼浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。17.根据申请专利范围第16项之催化剂组合物,其特征是将担体再以CoO及/或NiO计算至多5重量%的钴及/或镍浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。18.根据申请专利范围第17项之催化剂组合物,其特征是将担体再以P2O5计算至多10重量%的磷浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。19.根据申请专利范围第7项之催化剂组合物,其特征是将担体以催化剂总重为基础至多2重量%的贵金属浸渍。20.根据申请专利范围第19项之催化剂组合物,其特征是该贵重金属是铂。21.一种包含微粒状多孔性担体之催化剂组合物,该担体包含氧化铝,具有至少100平方公尺的表面积(以氮吸附测量)及每公克至少0.25立方公分的孔隙体积(以汞孔隙率法测量),并经一或数种具催化性活性金属浸渍,该组合物的特征是催化剂在第一阶段氢化裂解法中展现至少115的相对体积活性。22.根据申请专利范围第21项之催化剂组合物,其特征是将担体以一或数种选自包括VIB族及VIII族金属的具催化性活化过渡金属浸渍。23.根据申请专利范围第22项之催化剂组合物,其特征是将担体再以促进剂浸渍。24.根据申请专利范围第23项之催化剂组合物,其特征是该促进剂是磷。25.根据申请专利范围第22项之催化剂组合物,其特征是将担体以一或数种镍、钴、钼及钨浸渍。26.根据申请专利范围第25项之催化剂组合物,其特征是将担体再以磷浸渍。27.根据申请专利范围第25项之催化剂组合物,其特征是将担体以MoO3计算至多35重量%的钼及以CoO计算至多9重量%的钴浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。28.根据申请专利范围第26项之催化剂组合物,其特征是将担体以MoO3计算至多35重量%的钼,以CoO计算至多9重量%钴及以P2O5计算至多10重量%的磷浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。29.根据申请专利范围第25项之催化剂组合物,其特征是将担体以MoO3计算至多35重量%的钼及以NiO计算至多7重量%的镍浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。30.根据申请专利范围第26项之催化剂组合物,其特征是将担体以MoO3计算至多35重量%的钼,以NiO计算至多7重量%镍及以P2O5计算至多10重量%的磷浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。31.根据申请专利范围第25项之催化剂组合物,其特征是将担体以MoO3计算至多20重量%的钼浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。32.根据申请专利范围第31项之催化剂组合物,其特征是将担体以CoO及/或NiO计算至多5重量%的钴及/或镍浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。33.根据申请专利范围第32项之催化剂组合物,其特征是将担体再以P2O5计算至多10重量%的磷浸渍,其中重量百分比是以催化剂总重为基础。34.一种使含碳烃进料进行催化加氢脱硫之方法,其包括使进料在加氢脱硫的条件下与申请专利范围第1-18项及第21-33项中任一项所陈述的催化剂接触之步骤。35.一种使含碳烃进料进行催化加氢脱氮之方法,其包括将进料在加氢脱氮的条件下,与申请专利范围第1-18项及第21-33项中任一项所陈述的催化剂接触之步骤。36.一种使含碳烃进料进行催化加氢转化之方法,其包括使进料在加氢转化的条件下与申请专利范围第1-18项及第21-33项中任一项所陈述的催化剂接触之步骤。37.一种使含碳烃进料进行催化加氢脱金属之方法,其包括使进料在加氢脱金属的条件下与申请专利范围第1-18项及第21-33项中任一项所陈述催化剂接触之步骤。38.一种使含碳烃进料进行催化氢化裂解之方法,其包括使进料在氢化裂解的条件下与申请专利范围第1-18项及第21-33项中任一项所陈述之催化剂接触之步骤。39.一种使含碳烃进料进行催化重整之方法,其包括使进料在重整条件下与申请专利范围第1-7项,第19项及第20项中任一项所陈述之催化剂接触之步骤。40.一种使含碳烃进料进行催化加氢-脱氢之方法,其包括使进料在加氢-脱氢的条件下与申请专利范围第1-7项,第19项及第20项中任一项所陈述之催化剂接触之步骤。41.一种使含碳烃进料进行催化异构化之方法,其包括使进料在异构化的条件下与申请专利范围第1-7项,第19项及第20项中任一项所陈述之催化剂接触之步骤。42.一种改进包含微粒状多孔性担体之催化剂组合物活性之方法,该担体包含氧化铝与非晶质氧化铝,具有至少100平方公尺的表面积(以氮吸附测量)及每公克至少0.25立方公分的孔隙体积(以汞孔隙率法测量),并以一或数种催化活性金属浸渍,该方法的步骤是:(1)以每克催化剂组合物中至少0.01克之钳合剂之量,使催化剂组合物在载液体中与钳合剂接触而变湿;(2)于至少20℃的温度下,使如此变湿之基质在湿的时候老化至少1小时;(3)于至少100℃的温度下,使如此老化之基质乾燥以实质汽化掉载体液体;及(4)煆烧如此乾燥之基质。43.一种制备催化剂组合物之方法,其包括以下步骤:(1)以一或数种具催化活性金属浸渍包含氧化铝及非晶质氧化铝之微粒状多孔性担体;(2)在步骤(1)之前,同时及/或之后,以每克催化剂组合物中至少0.01克之钳合剂之量,使担体在载液体中与钳合剂接触而变湿;(3)于至少20℃的温度下,使如此变湿之基质在湿的时候老化至少1小时;(4)在至少100℃的温度下,使如此老化之基质乾燥以实质汽化掉载体液体;及(5)煆烧如此乾燥之基质。44.一种使消耗之催化剂组合物再生之方法,该组合物包含的微粒状多孔性担体包含氧化铝及非晶质氧化铝,并以一或数种具催化活性金属浸渍,该方法包括以下步骤:(1)处理消耗之催化剂,以除去含碳质沉积物;(2)以每克催化剂组合物中至少0.01克之钳合剂之量,使催化剂组合物在载液体中与钳合剂接触而变湿;(3)于至少20℃的温度下,使如此变湿之基质在湿的时候老化至少1小时;(4)在至少100℃的温度下,使如此老化之基质乾燥以实质汽化掉载体液体;及(5)煆烧如此乾燥之基质。45.根据申请专利范围第42,43或44项之方法,其特征是钳合剂具有关于催化剂之催化活性金属之高安定性常数。46.根据申请专利范围第42,43或44项之方法,其特征是钳合剂是乙二胺四醋酸或其衍生物。47.根据申请专利范围第42,43或44项之方法,其特征是钳合剂系选自包括乙二胺四醋酸、乙二胺四醋酸二铵、三(2-胺乙基)胺及三乙四胺。48.根据申请专利范围第42,43或44项之方法,其特征是经老化之基质系在100℃至250℃的温度范围下乾燥。49.根据申请专利范围第42,43或44项之方法,其特征是经老化之基质系以强制空气加热器辅助乾燥。50.根据申请专利范围第42,43或44项之方法,其特征是经乾燥之基质在第一阶段中以足够高的温度煆烧,以驱除或分解钳合剂,但是温度不致高到会使钳合剂燃烧形成含碳沉积物,接着在第二阶段以正常的煆烧温度煆烧。
地址 美国