| 主权项 |
1.一种半导体记忆装置,其为具备:半导体基板;设在前述半导体基板上之动态随机存取记忆体之记忆单元块;设在前述记忆单元块之转角部近旁的存储节点之虚图案;以及为了覆盖前述存储节点之虚图案,且自前述动态随机存取记忆体之本体单元板开始电气绝缘而设的单元板之虚图案。2.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中前述存储节点之虚图案,系为了围住前述记忆单元块之转角部而设的。3.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中前述记忆单元块之转角部,系由一方之边和另一方之边所形成,而前述存储节点之虚图案,系只设在前述转角部之前述一方之边侧上。4.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中前述存储节点之虚图案,系在前述记忆单元块之转角以平面形状形成四角形。5.一种半体记忆装置,其为具备:半导体基板;以及包含设在前述半导体基板上之存储节点之图案的动态随机存取记忆体之记忆单元块;其特征为,切削前述存储节点之图案的转角部之角。6.如申请专利范围第5项之半导体记忆装置,其中前述存储节点之图案的转角部系以45之角度切削者。7.如申请专利范围第5项之半导体记忆装置,其中前述存储节点之图案的转角部系切削角成直线状。8.如申请专利范围第5项之半导体记忆装置,其中前述存储节点之图案的转角部,系在平面形状中切削成梯状。9.如申请专利范围第5项之半导体记忆装置,其中前述存储节点之图案的转角部,系切削角成曲线状。图示简单说明:图一为发明之实施形态1中之半导体记忆装置的记忆单元块之转角部的平面图。图二为沿着图一中之Ⅱ-Ⅱ线的截面图。图三为关于发明之实施形态1的半导体记忆装置之制造方法中之形成单元板接点之制程之半导体记忆体记忆装置的截面图。图四为关于发明之实施形态2之半导体记忆装置的记忆单元块之转角部的平面图。图五为关于发明之实施形态3之半导体记忆装置的记忆单元块之转角部的平面图。图六为关于发明之实施形态4之半导体记忆装置的记忆单元块之转角部的平面图。图七为关于发明之实施形态5之半导体记忆装置的记忆单元块之转角部的平面图。图八为关于发明之实施形态6之半导体记忆装置的记忆单元块之转角部的平面图。图九为说明关于发明之实施形态4之方法的作用效果用的图。图十显示习知之DRAM之基本构造的图。图十一显示习知之对记忆单元配线的模型图。图十二为习知之记忆单元阵列的平面图。图十三为12中之A部的放大图。图十四为13中之存储节点之部份的详细图。图十五为沿着图14中之XV-XV线的截面图。图十六为沿着图13中之XVI-XVI线的截面图。图十七显示习知之半导体记忆装置中之问题点的图。 |
