| 主权项 |
1.一种形成半导体装置之金属配线的方法,包含步骤为:提供一半导体基板;在此半导体基板上形成一绝缘膜;在绝缘膜上形成一下层配线,其包含一多晶矽层及一金属矽化物层;在下层配线上形成一中间层的绝缘膜,此形成之方法为中间层的绝缘膜具有一接触孔,其用以部分地暴露金属矽化物层;植入杂质离子于下层配线金属矽化物层暴露的表面部分内,以此种方式,此金属矽化物层具有一非结晶部分;将此金属矽化物层的非结晶部分热处理,藉以使金属矽化物层的非结晶部分结晶化;以及在此金属矽化物层的结晶化部分上形成一上层配线。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属矽化物层是一种矽化钨层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该上层配线及下层配线皆具有一种多晶矽化物结构。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该中间层绝缘膜是由氧化膜构成。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该中间层绝缘膜是由硼磷矽酸玻璃膜所构成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该中间层绝缘膜是由一种邻矽酸四乙酯膜所构成。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该中间层绝缘膜具有一多层的结构,其由一种氧化膜、一种硼磷矽酸玻璃膜及一种邻矽酸四乙酯膜所组成。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该植入形成下层配线金属矽化物层内非结晶部分的杂质为砷。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该植入于形成下层配线金属矽化物层内非结晶部分的杂质为矽。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该植入于形成下层配线金属矽化物层内非结晶部分的杂値为磷。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该使金属矽化物层之非结晶部分结晶化的步骤是在半导体基板于置于一个具有氮气的清除室之状况下被执行。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中放置半导体基板是在550℃或更高的温度下被执行。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该使金属矽化物层之非结晶部分结晶化的步骤,是在将半导体基板放置于一配备有一保持在真空中的负载上锁系统的化学气相沈积装置内的状况下被执行。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中放置半导体基板是在550℃或更高的温度下被执行。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该上层配线包含有一多晶矽层及一矽化钨层。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该多晶矽层是和下层配线的金属矽化物层的被结晶部分接触。17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该多晶矽层是根据一种低压化学气相沈积的方法所形成。18.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该多晶矽层是在约300℃或更高的温度下形成。19.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该下层配线及上层配线的多晶矽层是由被掺杂的矽制成。20.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该下层配线及上层配线的多晶矽层是由一纯矽所制成。图示简单说明:图一至图三分别表示一习知形成一种半导体装置金属配线方法的断面图;及图四至图八分别表示依据本发明形成一种半导体装置金属配线方法的断面图。 |
