多阶高密度罩幕式唯读记忆体

摘要

一种罩幕式唯读记忆体，藉选择四个预定值其中之一以作为每一记忆元件中之场效电晶体之启始电压，来储存资料于记忆元件中，其可利用两互补技术来调整场效电晶体之启始电压，以定义出四个预定的启始电压。例如以两个不同功能之材料之一形成之一形成场效电晶体之闸电极；藉此，结合两个预定厚度之闸极氧化层与两个不同功能之闸电极材料，便可获得四种不同的启始电压预定值，多位元资料可储存在记忆体单元中之每一具有特定启始电压之场效电晶体中。该唯读记忆体包含有一平列排列且位于基底内之埋入式N^+型位元线，一具有两种选择厚度之闸极氧化层沈积于位元线上，及一沈积于闸极氧化层上的复晶矽层；部份场效电晶体之复晶矽电极是掺杂有N型杂质，另外的场效电晶质之复晶矽电极则是掺杂有P型杂质，形成具有不同功能之闸电极，使所形成之的场效电晶体具有不同之启始电压。一矽化钨并延伸于N 型及P 型复晶矽闸极区上，形成通过场效电晶体之字元线。

主权项

1.一非挥发性记忆体元件,包括有:复数个记忆单元,该记忆体单元包括有一记忆电晶体,该记忆电晶体包括一源/汲极扩散区,一分隔源/汲极扩散区之通道区,以及一闸极氧化层、一闸电极依序位于该通道区上,其中每一记忆电晶体之特性由选自于至少四个启始电压预定値其中之一来决定,相异之记忆电晶体具有相异之起始电晶体,其中记忆电晶体阵列中包含有第一型记忆电晶体,其闸电极是由具有第一功能之第一材料所形成的,该第一材料部份决定该第一型电晶体之启始电压;及第二型记忆电晶体,其闸电极是由具有第二功能之第二材料所形成的,该第二材料部份决定该第二型记忆电晶体之启始电压。2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体元件,其中该第一材料及该第二材质是复晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体元件,其中该第一材质是N型复晶矽且该第二材质是P型复晶矽。4.如申请专利范围第3项所述之非挥发性记忆体元件,其中至少有一第一型记忆记忆电晶体形成与一第二型记忆电晶体相邻,且其中有一导电层位于组成该第一型记忆电晶体闸极之该第二型材料上,形成一连接的导线结构。5.如申请专利范围第4项所述之非挥发性记忆体元件,其中该导电层之材料是耐热金属或耐热金属矽化物。6.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体元件,其中该些第一型记忆体中有些是具有第一厚度之闸极氧化层,其余的是具有第二厚度之闸极氧化层。7.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体元件,其中该第一厚度约小于150A,而该第二厚度约大于300A。8.一非挥发性记忆体元件,包括有:复数个记忆单元,该记忆体单元包括有一记忆电晶体,该记忆电晶体包括一源/汲极扩散区,一分隔源/汲极扩散区之通道区,以及一闸极氧化层、一闸电极依序位于该通道区上,其中每一记忆电晶体之特性由选自于至少四个启始电压预定値其中之一来决定,相异之记忆电晶体具有相异之起始电晶体,其中记忆电晶体阵列中包含有第一型记忆电晶体,其闸电极是由具有第一功能之第一材料所形成的,该第一材料部份决定该第一型电晶体之启始电压;及第二型记忆电晶体,其闸电极是由具有第二功能之第二材料所形成的,该第二材料部份决定该第二型记忆电晶体之启始电压,以及其中该些记忆电晶体阵列中,包含具有第一厚度闸极氧化层之第三电晶体及具有第二厚度之闸极氧化层之第四电晶体。9.如申请专利范围第8项所述的非挥发性记忆体元件元件,其中该第一记忆体具有第二厚度之闸极氧化层,该第二记忆体具有第一厚度之闸极氧化层。10.如申请专利范围第8项所述的非挥发性记忆体元件元件,其中该第一材料是复晶矽。11.如申请专利范围第10项所述的非挥发性记忆体元件元件,其中该第一材料是N型复晶矽且其中该第二材料是P型复晶矽。12.一记忆体元件,包括有:一第一列,包含有复数个第一电晶体,该第一电晶体包含一第一源/汲极扩散区,及一第一闸极;以及一第二列,包含有复数个第二电晶体,该第二电晶体包含一第二源/汲极扩散区,及一第二闸极,其中该第一电晶体之第一闸极及该第二电晶体之该第二闸极上含有一连续导线,且至少一第一闸极含有N型复晶矽而其相邻之该第二闸极含有P型复晶矽,且至少一具有第一厚度之第一电晶体及一具有第二厚度之第二电晶体。图示简单说明:第一图是一根据本发明之罩幕式唯读记忆电晶体之部份剖面示意图。第二图是一根据本发明之罩幕式唯读记忆电晶体之另一部份剖面示意图。第三-十二图是根据本发明以制造罩幕式唯读记忆体之部份剖面示意图。