| 主权项 |
1.一种用以离子布値半导体晶圆之晶圆处理装置,其包含:a)一用以支撑一晶圆(12)于其上之晶圆支架(14,16,18,20)并包含一第一介电层(20),其结合该晶圆与两电极(22,24);b)一双极性输出电源供应(44)连接至该两电极,用以藉由提供已控制之第一及第二极性偏压信号于电极两端,以充电该电极;及c)一布値控制系统(250)连接至该电源供应,包含电路用以于离子布値时,固定该晶圆至该晶圆支架,藉由施加该第一或第二极性偏压信号之一至该电极两端,以静电地吸引该晶圆至该晶圆支架,以及,用以自该晶圆支架释放该晶圆,于晶圆布値完成之后,藉由交替地施加该第一及第二极性偏压信号至该电极,以一控制频率一预定时间段,以降低晶圆对晶圆支架的静电吸引力。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆处理装置,其中,该双极性电源供应包含两供应模组(44a,44b)及该布植控制系统电路包含一逻辑驱动器电路(310)具有一第一及第二互补输出,每一输出连接至该双极性输出电源供应模组之不同一个,使得当该第一及第二驱动器输出之一系为逻辑高位准时,该连接至该驱动输出之供应模组系施加一信号及该第一及第二驱动器输出之另一个系为逻辑低位准,导致所连接之供应模组被去能。3.一种使用于半导体晶圆(12)处理之晶圆操作方法,包含步骤:a)放置一预被处理之半导体晶圆于一晶圆支架(14,16,18,20)之上;b)藉由一第一极性直流信号将该晶圆支架作电气偏压,因而产生一静电吸引力于该晶圆与该晶圆支架之间,进而将该晶圆静电式地吸引到该支架;c)处理该晶圆,同时以该第一极性直流信号来保持该电气偏压,以便保持介于该晶圆与该晶圆支架之间的一吸引力;d)于该晶圆处理完成之后,藉由施加一第二直流极性信号,其系极性相反于该第一极性直流信号,至该晶圆支架,而消散介于晶圆与该晶圆支架间之吸引力,然后,以一控制频率交替地施加具有第一及第二极性之信号达一预定时间段,以降低介于该晶圆与该晶圆支架间之静电吸引力。4.如申请专利范围第3项所述之晶圆操作方法,当该吸引力已被消散完之后,又额外地包含一步骤将一晶圆由该晶圆支架移开。图示简单说明:图一系一电源、一静电夹具总成,和一电容量测电路之概示图。图二系使用于一离子植入机之晶圆支架之平面图。图三系沿图二中之3-3平面所取之剖面图。图四各四A系一电容感应电路之概示图。图五系用以供应图四和四A中之感应电路之动力供应电路。图六系使用图四和四A之电容侦测电路之输出以控制一离子植入机之控制系统。图七各图八为控制图一中之电源之输出极性之线路概示图。 |
