| 主权项 |
1.一种具有SOI构造之半导体装置,具有:形成于绝缘体(2)上之具主表面之半导体层(3);形成于前述半导体层主表面上之用来限定通道领域之第1导电型的1对源极/汲极领域(14);藉由闸绝缘膜(11)而形成于前述半导体层主表面上之闸电极(12);至少在前述源极/汲极领域及位于前述闸电极下的前述半导体层端部之其中1处导入有氮;前述氮之浓度分布情形为,至少在前述源极/汲极领域之前述闸电极的延伸方向之最端部与位于前述闸电极下之前述半导体层的最端部之其中1处具有第1浓度峰値。2.如申请专利范围第1项所述之具有SOI构造之半导体装置,其中,位于前述闸电极下之前述半导体层的端部处形成有第2导电型之高浓度杂质领域。3.如申请专利范围第1项所述之具有SOI构造之半导体装置,其中,前述半导体层为形成于前述绝缘体上之复数个隔着间隔之岛状物。4.如申请专利范围第1项所述之具有SOI构造之半导体装置,其中,前述半导体层系藉由形成于前述半导体主表面之元件分离绝缘膜(13)而分离成复数之半导体层;在前述闸电极下,前述半导体层与前述元件分离绝缘膜之境界领域附近导入有前述氮;前述氮之浓度分布情形为,在接触前述元件分离绝缘膜之前述半导体层的最端面具有第1浓度峰値。5.如申请专利范围第1项所述之具有SOI构造之半导体装置,其中,前述氮系至少导入前述源极/汲极领域;前述氮亦导入前述源极/汲极领域附近之通道领域。6.如申请专利范围第1项所述之具有SOI构造之半导体装置,其中,前述氮系至少导入前述源极/汲极领域;前述氮之浓度分布情形为在位于前述半导体层及前述绝缘体之界面附近具有垂直方向之第2浓度峰値。7.一种具有SOI构造之半导体装置之制造方法,具备:在绝缘体(2)上形成具有主表面的半导体层(3)之工程;在前述半导体层上形成第1植入罩(6)之工程;使用前述第1植入罩作为膜,藉由在前述半导体层之分离植入领域进行第1导电型杂质之离子植入以形成杂质浓度高于通道领域之杂质领域的工程;在前述半导体层之主表面上介由闸极绝缘膜(11)而形成闸电极(12)之工程;以前述闸电极作为罩,藉由在前述半导体层上进行第2导电型杂质的离子植入之形成源极/汲极领域(14)之工程;使用至少前述第1罩及前述闸电极其中之1者为罩而植入氮之工程;在植入前述氮后,藉由实施热处理而使得前述氮之浓度峰値位于前述半导体层最端部之工程。8.如申请专利范围第7项所述之具有SOI构造之半导体装置的制造方法,其中,前述氮之植入系在为了形成前述源极/汲极领域之前述第2导电型之杂质离子植入之前进行。9.如申请专利范围第7项所述之具有SOI构造之半导体装置的制造方法,其中,前述氮之离子植入系以前述闸电极作为罩且使得前述氮的垂直方向之浓度峰値位于前述半导体层与前述绝缘体之界面附近而进行之。10.如申请专利范围第7项所述之具有SOI构造之半导体装置的制造方法,其中,前述氮系,除了藉由以前述闸电极作为罩之为了形成前述源极/汲极领域之第2导电型的杂质离子植入植入外,尚植入前述通道领域侧。图示简单说明:图一系显示依据本发明一实施形态之具SOI构造半导体装置之平面图。图二系沿着图一所示半导体装置100-100线之剖面图。图三系沿着图一所示半导体装置200-200线之剖面图。图四系沿着图一所示半导体装置100-100线之杂质分布曲线图。图五系用来说明如图一-三所示半导体装置的制造过程序之剖面图。图六系用来说明如图一-三所示半导体装置之制造程序之剖面图。图七系用来说明如图一-三所示半导体装置之制造程序之剖面图。图八系用来说明如图一-三所示半导体装置之制造程序之剖面图。图九系用来说明如图一-三所示半导体装置之制造程序之剖面图。图十系用来说明如图一-三所示半导体装置之制造程序之剖面图。图十一系用来说明如图一-三所示半导体装置之制造程序之剖面图。图十二系用来说明如图一-三所示半导体装置之制造程序之剖面图。图十三系用来说明如图一-三所示半导体装置之制造程序之剖面图。图十四系在图十三所示之工程中沿着垂直于图十三剖面之剖面图。图十五系图十三及图十四所示工程之平面图。图十六系用来说明图一-三所示本发明的半导体装置制造过程之剖面图。图十七系在图十六所示之工程中沿着与十六图呈垂直的剖面之剖面图。图十八系显示用来制造如图一-三所示本发明的半导体装置之另一方法之剖面图。图十九系显示用来制造如图一-三所示本发明的半导体装置之另一方法之剖面图。图二十系显示用来制造如图一-三所示本发明的半导体装置之另一方法之剖面图。图二一系显示依据本发明第2实施形态之具SOI构造的半导体装置之剖面图。图二二系显示依据本发明第3实施形态之具SOI构造的半导体装置之制造程序之剖面图。图二三系与图二二呈垂直方向之剖面图。图二四系用来说明依据本发明第3实施形态之具SOI构造的半导体装置之制造过程之剖面图。图二五系相对于图二四呈垂直方向之剖面图。图二六系用来说明第3实施形态中氮分布状态之斜视图。图二七系沿着图二六中300-300线之杂质分布曲线图。图二八系显示依据本发明第4实施形态之具SOI构造的半导体装置之剖面图。图二九系显示习知之具SOI构造的半导体装置之平面图。图三十系沿着图二九所示半导体装置中100-100线之剖面图。图三一系沿着图二九所示半导体装置中200-200线之剖面图。图三二系用来说明如图二九-三一所示习知之半导体装置制造过程之剖面图。图三三系用来说明如图二九-三一所示习知之半导体装置制造过程之剖面图。图三四系用来说明如图二九-三一所示习知之半导体装置制造过程之剖面图。图三五系用来说明如图二九-三一所示习知之半导体装置制造过程之剖面图。图三六系用来说明如图二九-三一所示习知之半导体装置制造过程之剖面图。图三七系用来说明如图二九-三一所示习知之半导体装置制造过程之剖面图。图三八系用来说明如图二九-三一所示习知之半导体装置制造过程之剖面图。图三九系用来说明如图二九-三一所示习知之半导体装置制造过程之剖面图。图四十系与图三九之剖面呈垂直之剖面图。图四一系图三九及四十之平面图。图四二系用来说明如图二九-三一所示习知半导体装置的制造流程之剖面图。图四三系与图四二之剖面呈垂直之剖面图。图四四系用来说明习知的半导体装置问题点之斜视图。图四五系显示为了说明习知的半导体装置问题点之闸极电压与汲极电流间关系之相关图。 |
