一种元件隔离方法及其结构

摘要

本发明系有关一种元件隔离之方法及其结构，尤其是指一种藉着具有氮化矽隔离物(sapcer)之局部矽氧化法所成长之场氧化层（field oxide)。本发明主要系在知之场氧化层成长步骤中，其中于氮化矽隔离物(spacer)之外围底部形成凹洞(cavity)，为了避免因氮化矽对矽基底造成高应力(stress）而导致元件漏电流 , 故在氮化矽隔离物形成后增加一热氧化，使上述凹洞处被披覆一薄氧化层以减缓氮化矽对矽基底产生之应力。

主权项

1.一种元件隔离之方法,系包括下列之制造步骤:于矽基底上依序形成一垫氧化层及一氮化矽;之后,经曝光、显影和活性离子蚀刻而形成具有图案之氮化矽;再经化学溶液蚀刻垫氧化层,使其在具有图案之氮化矽外围之底部形成有凹洞;之后,再将整个晶片进行热氧化,使其仅在垫氧化层及曝露之矽基底表面形成一薄氧化层;于具有图案之氮化矽周围及其底部之凹洞形成有氮化矽隔离物;及进行场氧化以成长场氧化层。2.依申请专利范围第一项所述之元件隔离之方法,其中氮化矽隔离物系藉由先以LPCVD法沈积一氮化矽再以活性离子蚀刻法进行回蚀刻而形成的。3.一种元件隔离之结构,系包括:一矽基底;一位于矽基底表面之具有图案之氮化矽;一垫氧化层介于具有图案之氮化矽与矽基底表面之间;一位于具有图案之氮化矽周围之氮化矽隔离物;一位于氮化矽隔离物与矽基底表面间及氮化矽隔离物与垫氧化层间之薄氧化层;及一被具有图案之氮化矽及氮化矽隔离物所隔开之场氧化层。图示简单说明:第一A-C图为传统具有氮化矽隔离物之局部矽氧化之制程。第二A-D图为依据本发明之具有氮化矽隔离物之局部矽氧化之制程。