| 主权项 |
1.一种配线膜,其特征为:包含和Aell形成金属间化合物之至少1种之第1之元素0.001-30原子%,以及由C,O,N以及H选择之至少1种之第2之元素,对于第1之元素量为0.01原子ppm-50原子%,剩余部分实质上由Aell构成。2.如申请专利范围第1项所述之配线膜,其中Aell和上述第1之元素之金属间化合物均一地微细析出。3.如申请专利范围第1项所述之配线膜,其中上述之第1之元素对于Aell之固溶度在1.0重量%以下。4.一种配线膜,其特征为:包含较Aell标准电极电位高之至少1种之第1之元素0.001-30原子%,以及由C,O,N以及H选择之至少1种之第2之元素,对于上述第1元素量为0.01原子ppm-50原子%,剩余部分实质上由Al构成。5.如申请专利范围第4项所述之配线膜,其中上述第1之元素为和Aell形成金属间化合物之元素。6.如申请专利范围第4项所述之配线膜,其中上述第2之元素为H者。7.如申请专利范围第6项所述之配线膜,其中上述H含有量在500重量ppm以下之范围。8.如申请专利范围第4项所述之配线膜,其中上述第1之元素以及Aell和上述第1之元素之金属间化合物之至少一方均匀地微细析出。9.一种配线膜,其特征为:包含由Y,Sc,La,Ce,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Er,Th,Sr,Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Tc,Re,Fe,Co,Ni,Pd,Ir,Pt,Cu,Ag,Au,Cd,Si,Pb以及B选择至少1种之第1之元素0.001-30原子%,以及至少由C,O,N以及H选择至少一种之第2之元素,对于上述第1之元素量为0.01原子ppm-50原子%,剩余部分实质上由Aell构成。10.如申请专利范围第9项所述之配线膜,其中上述第1之元素,以及Aell和上述第1之元素之金属间化合物之至少一方均匀地微细析出。11.一种溅射闸,其特征为:包含和Aell形成金属间化合物之至少1种之第1之元素0.001-30原子%,以及由C,O,N以及H选择至少1种之第2之元素,对于上述第1之元素量为0.01原子ppm-50原子%,剩余部分实质上由Aell构成。12.一种溅射闸,其特征为:包含较Aell标准电极电位高之至少1种之第1之元素0.001-30原子%,以及由C,O,N以及H选择至少1种之第2之元素,对于上述第1之元素量为0.01原子ppm-50原子%,剩余部分实质上由Aell构成。13.如申请专利范围第12项所述之溅射闸,其中上述第1之元素为和Aell形成金属间化合物之元素。14.如申请专利范围第12项所述之溅射闸,其中上述第2之元素为H。15.如申请专利范围第14项所述之溅射闸,其中上述H之含有量为在500重量ppm以下之范围。16.一种溅射闸,其特征为:包含由Y,Sc,La,Ce,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Er,Th,Sr,Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Tc,Re,Fe,Co,Ni,Pd,Ir,Pt,Cu,Ag,Au,Cd,Si,Pb以及B选择至少1种之第1之元素0.001-30原子%,以及由C,O,N以及H选择至少1种之第2之元素,对于上述第1之元素量为0.01原子ppm-50原子%,剩余部分实质上由Aell构成。17.一种电子零件,其特征为具备申请专利范围第1项,第4项或第9项所述之配线膜。图示简单说明:第一图为把本发明之电子零件适用于液晶显示装置之一实施形态之等价电路图,第二图表示示于第一图之液晶显示装置之重要部分构成之剖面图,第三图表示把本发明之电子零件适用于半导体元件之一实施形态之重要部分构成之剖面图,第四图表示把本发明之电子零件适用于热印表机头之一实施形态之重要部分构成之剖面图,第五图表示把本发明之电子零件适用于弹性表面波共振子之一实施形态之构成之平面图,第六图表示把本发明之电子零件适用于弹性表面波共振子之其他之实施形态之构成之平面图,第七图表示使用第五图或第六图所示之弹性表面波共振子(SAW)之SAW装置之重要部分构成之剖面图,第八图表示将本发明之配线膜之电极电位和Aell以及ITO比较之图。 |
