| 主权项 |
1.一种半导体晶圆,包括:用以形成具有第一垫之半导体积体电路的半导体积体电路形成区域;形成于该半导体积体电路形成区域之周围,用以将该半导体积体电路切割成晶片之切割区域;存在于该切割区域的第二垫;以及用以电气连接第一垫与第二垫、于该半导体积体电路形成区域上具有弯曲部(bend)的连接线。2.如申请专利范围第1项之半导体晶圆,其中该第二垫之面积大于第一垫之面积。3.如申请专利范围第1项之半导体晶圆,其中该第二垫系形成于该半导体积体电路形成区域之周围,而未留有与存在该积体电路形成区域周围之切割区域内至少可形成一个第二垫相同之空虚面积。4.如申请专利范围第1项之半导体晶圆,其中该半导体积体电路形成区域具有包含第一与第二半导体积体电路形成区域的多数个半导体积体电路,且该连接线具备包含有第一与二连接线的多数个连接线,该第一连接线系电气连接第一半导体积体电路形成区域上的第一垫与该第二垫,且在该第一半导体积体电路形成区域上具有弯曲部,且该第二连接线系电气连接第二半导体积体电路形成区域上的第一垫与该第二垫,且在该第二半导体积体电路形成区域上具有弯曲部。5.一种半导体装置,系沿着具有连接线之半导体晶圆的切割区域切割所形成,而该连接线系由用以形成半导体积体电路之半导体积体电路形成区域横跨延伸至形成于半导体积体电路形成区域周围的切割区域,该切割区域系包括覆盖该连接线之切割断面的绝缘膜。6.一种半导体装置,系沿着具有连接线之半导体晶圆的切割区域切割所形成,而该连接线系由用以形成半导体积体电路之半导体积体电路形成区域横跨延伸至形成于半导体积体电路形成区域周围的切割区域,其中在该半导体积体电路形成区域上的连接线具有弯曲部。7.一种制造半导体装置的方法,包括步骤有:准备具有连接线之半导体晶圆,该连接线系由用以形成半导体积体电路之半导体积体电路形成区域横跨延伸至形成于半导体积体电路形成区域周围的切割区域;在该半导体积体电路形成区域与该切割区域之间的边界形成一分割沟槽(groove),以切割该连接线;在该沟槽内形成覆盖该连接线之切割断面之绝缘膜;以及沿着该切割区域切割该半导体晶圆,以将该半导体积体电路分割为晶片。8.如申请专利范围第7项之方法,其中在该形成绝缘膜之步骤中,该绝缘膜系形成于除了该半导体积体电路之导线搭接垫以外之半导体积体电路形成区域,以及该切割区域。图示简单说明:第一图系显示本发明之第一较佳实施例中半导体装置之制造方法的上视图。第二图系显示本发明之第一较佳实施例中半导体装置之制造方法的截面图。第三图系显示本发明之第一较佳实施例中半导体装置之制造方法的截面图。第四图系显示本发明之该第一较佳实施例中半导体装置之制造方法的上视图。第五图系显示本发明之第一较佳实施例中半导体装置的制造方法的截面图。第六图系显示本发明之该第一较佳实施例中半导体装置之制造方法的上视图。第七图系显示本发明之第一较佳实施例中半导体装置之截面图。第八图系显示本发明之第二较佳实施例之半导体晶圆的上视图。第九图系显示本发明之第三较佳实施例之半导体晶圆的上视图。第十图系显示本发明之第四较佳实施例之半导体晶圆的上视图。第十一图系显示本发明之该第四较佳实施例之半导体晶圆的上视图。第十二图系显示本发明之该第四较佳实施例之半导体晶圆的上视图。第十三图系显示本发明之该第四较佳实施例之半导体晶圆的上视图。第十四图系显示本发明之该第四较佳实施例之半导体晶圆的上视图。第十五图系显示本发明之该第四较佳实施例之半导体晶圆的上视图。第十六图系显示习知半导体晶圆的上视图。第十七图为第十六图之截面图。第十八图系显示习知半导体装置的上视图。第十九图系习知半导体晶圆的截面图。第二十图系习知半导体装置的截面图。第二一图系习知半导体晶圆的截面图。第二二图系习知半导体装置的截面图。第二三图系习知半导体晶圆的截面图。第二四图系习知半导体装置的截面图。 |
