| 主权项 |
1.一种电子管之阴极,此阴极之基底金属的主要成份为镍元素,以及一层形成在该基底金属上之电子发射物质层,前述的电子发射物质层含有三种成份:一种硷土金属氧化物、一种镧(La)化合物、以及一种镁(Mg)化合物,至于前述的硷土金属氧化物则是来自于以钡为主要成份的硷土金属碳酸盐加以热处理而得到。2.如申请专利范围第1项所述之电子管之阴极,其中所述的镧化合物与镁化合物的份量为,相对于所述的硷土金属碳酸盐的重量,达到0.01-20.0wt%者。3.一种电子管之阴极,此阴极之基底金属的主要成份为镍元素,以及一层形成在该基底金属上之电子发射物质层,前述的电子发射物质层含有二种成份:一种硷土金属氧化物以及一种镧-镁化合物,至于前述的硷土金属氧化物则是来自于以钡为主要成份的硷土金属碳酸盐加以热处理而得到。4.如申请专利范围第3项所述之电子管之阴极,其中所述的镧-镁化合物的份量为,相对于所述的硷土金属碳酸盐的重量,达到0.01-20.0wt%者。图示简单说明:第一图为一般用于电子管之阴极的概略剖面图。第二图为一放大图,系说明在用于电子管之传统阴极管之电子发射物质之典型层面,此图显示出一个三元碳酸盐具有一毛细状之晶体结构;及第三图系比较根据本发明之电子管阴极与传统阴极之生命期特性。 |
