| 主权项 |
1.一种堆叠式动态随机存取记忆体(DRAM)的制造方法,系包括:在矽半导体基板上形成氧化层,作为隔离场效电晶体之用;形成场效电晶体和字语线,所述场效电晶体含有闸氧化层、闸极与源极/汲极;形成第一介电层和第二介电层,并平坦化所述第二介电层;利用微影技术与蚀刻技术蚀去所述第一介电层和第二介电层以露出所述场效电晶体之源极,以形成记忆元接触窗;形成一层第一复晶矽,所述第一复晶矽填满所述「记忆元接触窗」;形成第三介电层;形成由热化学气相沉积二氧化矽(thermal CVD oxide)和电浆二氧化矽(PE-oxide)组成之交替复层结构(alternating layers);利用微影技术和蚀刻技术蚀去所述「记忆元接触窗」两侧之所述「交替复层结构」,以形成两个凹沟,所述电浆蚀刻终止于所述第三介电层表面;蚀刻所述「交替复层结构」,以在所述凹沟内之所述「热化学气相沉积二氧化矽」之间形成空腔(cavity),使所述凹沟内之「交替复层结构」侧表面具有皱纹(corrugatedsurface);利用蚀刻技术蚀去所述氮化矽以局部露出所述「第一复晶矽」;形成一层第二复晶矽,所述「第二复晶矽」填满所述「凹沟」;利用蚀刻技术对所述「第二复晶矽」进行回蚀刻,以去除所述「交替复层结构」上方之所述「第二复晶矽」,以在所述「凹沟」内形成「第二复晶矽插塞物」;利用微影技术和蚀刻技术蚀去电容器区域之所述「交替复层结构」、「氮化矽」与「第一复晶矽」;去除表面具有皱纹之所述「交替复层结构」和剩余之所述「氮化矽」,以露出所述「第二复晶矽插塞物」和「第一复晶矽」,以形成电容器的下层电极;形成电容器介电层;形成第三复晶矽;利用微影技术与蚀刻技术蚀去所述「第三复晶矽」和「电容器介电层」,以形成电容器的上层电极。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述第一介电层和第二介电层是二氧化矽,所述第一介电层之厚度介于3000到8000埃之间,所述第二介电层厚度介于500埃到1500埃之间。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述第一复晶矽是利用化学气相沉积法形成,其厚度介于2000埃到3500埃之间。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述第三介电层是氮化矽,其厚度介于500埃到1500埃之间。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述「交替复层结构」之「热化学气相沉积二氧化矽」是利用低压化学气相沉积法、大气压化学气相沉积法(APCVD)或是次大气压化学气相沉积法(SACVD)等各种化学气相沉积法形成,其各层厚度介于200埃到400埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述「交替复层结构」之「电浆二氧化矽」是利用电浆增强式化学气相沉积法(PECVD)形成,其各层厚度介于200埃到400埃之间。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述「第二复晶矽层」是利用化学汽相沉积法形成,其厚度介于1000埃到2500埃之间。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述形成空腔之方法是利用氢氟酸溶液。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述「电容器介电层」,是由氧化氮化矽、氮化矽和二氧化矽所组成,或由五氧二钽所组成。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述「第三复晶矽层」是利用化学汽相沉积法形成,其厚度介于1000埃到2000埃之间。图示简单说明:第一图到第十二图是本发明之实施例的制程剖面示意图。 |
