| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征在于,在半导体基板上形成元件分离领域时,具备有,在矽基板之表面及背面形成矽氧化膜之过程,选择性地仅去除上述矽基板背面之矽氧化膜,露出上述矽基板之背面之过程,藉CVD法,在上述矽氧化膜及上述露出之矽基板之背面形成矽薄膜之过程,在上述矽薄膜上形成第1薄膜之过程,在上述矽基板表面之上述第1薄膜上形成元件分离用抗蚀图案之过程,以上述图案化之抗蚀刻层作为掩蔽材进行蚀刻,将上述矽基板表面之第1薄膜图案化之过程,以及,以上述图案化之第1薄膜作为掩蔽,形成元件分离领域用氧化膜之过程,而使用形成在上述矽基板背面之矽薄膜进行吸取(gettering)。2.一种半导体装置之制造方法,其特征在于,具备有,在矽基板之表面及背面形成矽氧化膜之过程,选择性地仅去除上述矽基板背面之矽氧化膜,露出上述矽基板之背面之过程,藉CVD法,在上述矽氧化膜及上述露出之矽基板背面形成矽薄膜之过程,在上述矽薄膜上形成第1薄膜之过程,在上述矽基板表面之上述第1薄膜上形成元件分离用抗蚀刻图案之过程,以上述图案化之抗蚀刻层作为掩蔽材,进行蚀刻,将上述矽基板表面之第1薄膜图案化之过程,以上述图案化之第1薄膜作为掩蔽,形成元件分离领域用氧化膜之过程,剥离上述矽基板表面之第1薄膜,矽薄膜,矽氧化膜,令上述矽基板表面之上述元件分离领域以外之部分露出之过程,在上述矽基板表面之露出部分,重新形成闸氧化膜闸极,而形成MOSFET之过程,以及,在上述MOSFET上形成层间绝缘膜之过程,而使用形成在上述矽基板背面之矽薄膜,进行吸取。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之半导体装置之制造方法,其特征在于,上述矽薄膜添加有不纯物质。4.如申请专利范围第1项或第2项所述之半导体装置之制造方法,其特征在于,上述第1薄膜为矽氧化膜、矽氮化膜或矽。图示简单说明:第一图系表示本发明第1实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第二图系表示本发明第1实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第三图系表示本发明第1实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第四图系表示本发明第1实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第五图系表示本发明第1实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第六图系表示本发明第1实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第七图系表示本发明第1实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第八图系表示本发明第2实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第九图系表示本发明第2实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第十图系表示本发明第2实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第十一图系表示本发明第2实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第十二图系表示本发明第2实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第十三图系表示本发明第2实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第十四图系表示本发明第2实施例之半导体装置之制造方法之截面图。第十五图系表示传统之半导体装置之制造方法之截面图。第十六图系表示传统之半导体装置之制造方法之截面图。第十七图系表示传统之半导体装置之制造方法之截面图。第十八图系表示传统之半导体装置之制造方法之截面图。第十九图系表示传统之半导体装置之制造方法之截面图。第二十图系表示传统之半导体装置之制造方法之截面图。第二一图系表示传统之半导体装置之制造方法之截面图。第二二图系表示传统之半导体装置之制造方法之截面图。第二三图系表示传统之半导体装置之制造方法之截面图。 |
