接触窗的制造方法

摘要

一种接触窗的制造方法，用以避免后续填入的金属材料产生金属中毒现象 ( metal via poison ) ， 其包括下列步骤：在一已形成元件的矽基底上形成一导线；依序在该矽基底上形成一第一绝缘层、一用以平坦化的旋覆玻璃层、与一第二绝缘层;蚀刻该第二绝缘层、该旋覆玻璃层、与该第一绝缘层，以形成一露出该导线的接触窗，该接触窗在该旋覆玻璃层呈一凹陷；利用电浆加强化学气相沈积法在该接触窗的侧壁形成一非晶矽层，其并填入该凹陷，以及延伸至该第二绝缘层表面；以及回蚀刻该非晶矽层，以形成一平坦接触窗。

主权项

1.一种接触窗的制造方法,包括下列步骤:在一已形成元件的矽基底上形成一导线;依序在该矽基底上形成一第一绝缘层、一用以平坦化的旋覆玻璃层、与一第二绝缘层;蚀刻该第二绝缘层、该旋覆玻璃层、与该第一绝缘层,以形成一露出该导线的接触窗,该接触窗在该旋覆玻璃层呈一凹陷;利用电浆加强化学气相沈积法在该接触窗的侧壁形成一非晶矽层,其并填入该凹陷,以及延伸至该第二绝缘层表面;以及回蚀刻该非晶矽层,形成一平坦接触窗。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该导线包括铝金属。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一绝缘层是以化学气相沈积法所形成的氧化层。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该旋覆玻璃层是由涂布法所形成的氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第二绝缘层是化学气相沈积法所形成的气化层。6.如申请专利范围第 项所述之制造方法,其中形成该非晶矽层的反应温度是介于300℃至550℃之间。图示简单说明:第一A图至第一C图绘示习知一种积体电路接触窗的制程剖面图;以及第二A图至第二E图绘示根据本发明之一较佳实施例的制程剖面图。