| 主权项 |
1.一种主动宽范围PLL装置,即具备:以第1控制电压连续变化振荡频率,且以第2控制电压连续变化第1控制电压对振荡频率特性之电压控制振荡器,及比较碟片读出之资料与前述电压控制振荡器之输出相位之相位检测装置,及比较碟片读出之资料与前述电压控制振荡器之输出频率之频率检测装置,及平衡前述相位及频率检测装置之检测结果之第1过滤装置,及仅取出前述第1过滤装置之输出低频率成分之第2过滤装置,其特征为:将前述第1过滤装置之输出输入前述第1控制电压,将前述第2过滤装置之输出输入前述第2控制电压,改变前述第2控制电压,使前述第1控制电压经常成所定电压。2.如申请专利范围第1项所述之主动宽范围PLL装置,其中前述第2过滤器,系由数字积分器而成。3.如申请专利范围第1项所述之主动宽范围PLL装置,其中前述第2过滤器,系由类比积分器而成。4.如申请专利范围第1至3任一项所述之主动宽范围PLL装置,其中前述所定电压,系电源电压之1/2。5.如申请专利范围第1至3任一项所述之主动宽范围PLL装置,其中前述所定电压有复数。6.如申请专利范围第1项所述之主动宽范围PLL装置,其中前述电压控制振荡器具备:具有以电互相连接P频道MOS晶体管与N频道MOS晶体管之源/漏极之复数成对晶体管之环形振荡器,其中在前述P频道MOS晶体管与N频道MOS晶体管中,一方之MOS晶体管之栅输入前述第1控制电压,另方之MOS晶体管之栅输入前述第2控制电压。7.如申请专利范围第2项所述之主动宽范围PLL装置,其中前述电压控制振荡器具备:具有以电互相连接P频道MOS晶体管与N频道MOS晶体管之源/漏极之复数成对晶体管之环形振荡器,其中在前述P频道MOS晶体管与N频道MOS晶体管中,在一方之MOS晶体管之栅输入前述第1控制电压,另方之MOS晶体管之栅输入前述第2控制电压。8.如申请专利范围第3项所述之主动宽范围PLL装置,其中前述电压控制振荡器具备:具有以电互相连接P频道MOS晶体管与N频道MOS晶体管之源/漏极之复数成对晶体管之环形振荡器,其中在前述P频道MOS晶体管与N频道MOS晶体管中,在一方之MOS晶体管之栅输入前述第1控制电压,另方之MOS晶体管之栅输入前述第2控制电压。9.如申请专利范围第4项所述之主动宽范围PLL装置,其中前述电压控制振荡器具备:具有以电互相连接P频道MOS晶体管与N频道MOS晶体管之源/漏极之复数成对晶体管之环形振荡器,其中在前述P频道MOS晶体管与N频道MOS晶体管中,在一方之MOS晶体管之栅输入前述第1控制电压,另方之MOS晶体管之栅输入前述第2控制电压。10.如申请专利范围第5项所述之主动宽范围PLL装置,其中前述电压控制振荡器具备:具有以电互相连接P频道MOS晶体管与N频道MOS晶体管之源/漏极之复数成对晶体管之环形振荡器,其中在前述P频道MOS晶体管与N频道MOS晶体管中,在一方之MOS晶体管之栅输入前述第1控制电压,另方之MOS晶体管之栅输入前述第2控制电压。11.一种相位锁定环路方法,具有:将比较依碟片读出之资料第1控制电压连续改变振荡频率,且依第2控制电压连接改变第1控制电压对振荡频率特性之电压控制振荡器之输出相位之相位检测装置,及比较该资料与前述电压控制振荡器之输出频率之频率检测装置之检测结果,以第1过滤装置平衡之阶段,及用第2过滤装置,仅取出前述第1过滤装置之输出之低频率成分之阶段,及将前述第1过滤装置之输出输入前述第1控制电压,将前述第2过滤装置之输出输入前述第2控制电压,使前述第1控制电压经常成为所定电压,以改变前述第2控制电压之阶段。12.一种磁片再生装置,具备:由记录资料之碟片读取该资料之装置,及以一定线速度旋转碟片马达之装置,及以一定角速度旋转碟片马达之装置,及选择以一定线速度旋转前述碟片马达之装置或以一定角速度旋转前述碟片马达之装置之任一装置之开关装置,及将读取前述资料之装置读取之资料2値化形成EFM讯号之装置,及形成同步于EFM讯号,对应于前述碟片马达之旋转碟片之时间之时间形成装置,及解调前述EFM讯号,形成再生资料之装置,及一时储存前述再生资料之储存装置,及同步于前述时间,将前述再生资料写进前述储存装置,同步于基准时间,读出前述再生资料之储存装置,前述时间形成装置,系具备:依第1控制电压连续改变振荡频率,且依第2控制电压连续改变第1控制电压对振荡频率特性之电压控制振荡器,及比较碟片读出之资料,与前述电压控制振荡器之输出相位之相位检测装置,及比较碟片读出之资料与前述电压控制振荡器之输出频率之频率检测装置,及平衡前述相位及频率检测装置之检测结果之第1过滤装置,及仅取出前述第1过滤装置之低频率成分之第2过滤装置,由将前述第1过滤装置之输出输入前述第1控制电压,将前述第2过滤装置之输出输入前述第2控制电压,使前述第1控制电压经常成为所定电压,以改变前述第2控制电压之主动宽范围PLL装置而成。13.如申请专利范围12项所述之磁片再生装置,其中前述开关装置,以低速旋转前述碟片时,选择以一定线速度旋转前述碟片马达之装置,而以高速旋转前述碟片时,则选择以一定角速度旋转前述碟片马达之装置。14.如申请专利范围第12项所述之磁片再生装置,其中前述开关装置,再生前述碟片内周时,选择以一定角速度旋转前述碟片马达之装置,而再生前述碟片外周时,则选择以一定线速度旋转前述碟片马达之装置。图示简单说明:第一图:本发明及先前之CD-ROM驱动系统之方块构成图。第二图:用本发明之VCO电路所使用之延迟单元之环形振荡器电路图。第三图:本发明之延迟单元之等效电路图。第四图:本发明之主动宽范围PLL装置之电路方块图。第五图:显示第四图之PLL装置所用数字积分器之电路图。第六图:说明本发明之VCO特性之振荡频率--输入电压特性图。第七图:比较本发明之PLL装置与先前之PLL装置之动作之特性图。第八图:本发明之主动宽范围PLL装置之电路方块图。第九图:先前之PLL电路方块之构成图。 |
