| 主权项 |
1.一种化学气相成长装置,系具有:将在其表面形成薄膜的基体保持在其中的化学气相反应室;连接到前述化学气相反应室,并用以对前述化学气相反应室内抽成真空的排气系统;将有机铜化合物供应到前述化学气相反应室的原料液供应手段;而在前述化学气相反应室及前述排气系统之间的至少一处的内侧具有:被铜或铜氧化物所被覆且能够加热的反应生成物去除装置。2.如申请专利范围第1项之化学气相成长装置,其中前述的反应生成物去除装置系加热到200-350℃。3.如申请专利范围第1项之化学气相成长装置,其中藉由将氧气导入前述的反应生成物去除装置并使铜氧化物析出在加热了的去除装置的内面,而去除产生在前述化学气相反应室内的反应性生成物。图示简单说明:第一A-一C图系显示本发明的第1实施例的半导体装置的制造过程的截面图。第二A及二B图系显示实施例及比较例中的各试料的Cu膜的深度方向的杂质浓度的SIMS分析结果的图。第三A-三D图系显示本发明的第2实施例的半导体装置的制造过程的斜视图。第四图系显示本发明的第4实施例的Cu薄膜中的杂质浓度的图。第五图系在做为被堆积下地而含有各种浓度的氧的Cu薄膜f1上,仅使用原料气体而以CVD法堆积Cu层f2的场合,显示Cu层f2中的杂质浓度对Cu层f1的氧浓度的依存性的图。第六图系概略的显示本发明的化学气相成长装置的图。第七A及七B图系显示第六图的装置的变形例的图。第八A-八C图系显示使用于本发明的化学气相成长装置的CVD原料供应装置的截面图。第九图系显示设置了复数的圆筒的转轮筒的图。第十图系显示供应第八A-八C图所示的CVD原料供应装置的CVD装置的图。第十一图系显示使用于本发明的化学气相成长装置的CVD原料供应装置的其它例的截面图。第十二图系在使用第十图所示的CVD装置来进行Cu的成膜的场合,显示其时间表(timetable)的图。第十三图系显示所堆积的Cu的膜厚与原料气体喷射次数的关系的图。第十四图系显示本发明的其它实施例的CVD装置的图。第十五图系显示将多数的圆锥面重合的反应面的图。第十六图系显示设置于多孔体的反应面的图。第十七A-十七C图系概略的显示本发明的其它实施例的化学气相成长装置的晶圆保持环的图。第十八图系显示分别的堆积于3种类的晶圆保持环上的Cu膜厚及反射率的关系的图。第十九图系显示将Cu-CVD反应生成物除去装置设在其它场所的VD装置的图。|| |
