发明名称 Thin film transistor and method of manufacturing the same
摘要 본 발명은 게이트 전극과, 게이트 전극과 상하 방향으로 이격되고 수평 방향으로 서로 이격된 소오스 전극 및 드레인 전극과, 게이트 전극과 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 게이트 절연막과, 게이트 절연막과 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 활성층을 포함하며, 활성층은 칼슘이 함유된 금속 산화물 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제시한다.
申请公布号 KR20160116894(A) 申请公布日期 2016.10.10
申请号 KR20150045268 申请日期 2015.03.31
申请人 ULVAC KOREA 发明人 KIM, SHIN;OH, DONG JU;LEE, SANG HO;HWANG, AH YOUNG
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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