发明名称 |
Thin film transistor and method of manufacturing the same |
摘要 |
본 발명은 게이트 전극과, 게이트 전극과 상하 방향으로 이격되고 수평 방향으로 서로 이격된 소오스 전극 및 드레인 전극과, 게이트 전극과 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 게이트 절연막과, 게이트 절연막과 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 활성층을 포함하며, 활성층은 칼슘이 함유된 금속 산화물 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제시한다. |
申请公布号 |
KR20160116894(A) |
申请公布日期 |
2016.10.10 |
申请号 |
KR20150045268 |
申请日期 |
2015.03.31 |
申请人 |
ULVAC KOREA |
发明人 |
KIM, SHIN;OH, DONG JU;LEE, SANG HO;HWANG, AH YOUNG |
分类号 |
H01L29/786 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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