| 主权项 |
1.一种单结晶制造装置,其为具备用来形成同轴般之包围着坩埚之藉由阻抗加热之中空圆筒状的发热体;其特征在于,沿着前述中空圆筒轴躯干部除了至少2处之电极部外设置有大致垂直于轴方向之圆环状狭缝,藉由此以使得该发热体分割成上部发热部及下部发热部;且,在各个上部及下部之发热部上,设置大致平行于轴方向且形成上下方向交错般之复数个垂直狭缝。2.如申请专利范围第1项所述之单结晶制造装置,其中,前述发热体的垂直狭缝系,其间距在上部发热部及下部发热部上系分别形成不同。3.如申请专利范围第1项所述之单结晶制造装置,其中,前述发热体的中空圆筒躯干部之厚度或长度系在上部发热部及下部发热部处形成不同。4.如申请专利范围第2项所述之单结晶制造装置,其中,前述发热体的中空圆筒躯干部之厚度或长度系在上部发热部及下部发热部处形成不同。5.如申请专利范围第1或第2或第3项或第4项所述之单结晶制造装置,其中,前述下部发热部至少具有4个电极。6.如申请专利范围第5项所述之单结晶制造装置,其中,前述发热体系,具备2个可共通于上部发热部及下部发热部之共通电极,及2个位于除了该共通电极以外之下部发热部侧之下部发热部电极;且在前述发热体上设置有变更装置,藉由此以分别对应于加热电流流经该下部发热部电极及前述共通电极间、与加热电流流经前述共通电极间的状况之不同而变更电流的路径。图示简单说明:第一图系显示本发明的实施形态之模式纵剖面图。第二图系本发明的实施形态之发热体的斜视图。第三图系构成本发明的实施形态之电流路径的变更装置之变更电路说明图。第四图系显示本发明与习知技术相较之下之氧浓度与单结晶拉引长度间之关系图。 |
