| 主权项 |
1.一种金属矽化物形成后的原处金属化制程,适用于一已形成有闸极及源极/汲极的基底上,且在该闸极和源极/汲极上也依序已形成有一金属矽化物层和一介电层,其包括:形成复数个接触窗于该介电层上;实施溅镀蚀刻清洗;利用高温溅镀沈积法形成一氮化钛阻障层于该基底上方;实施退火处理;利用溅镀沈积法形成一金属层于该基底上方;以及利用高温溅镀沈积法形成一氮化钛反反光射层于该金属层上方。2.如申请专利范围第1项之一种金属矽化物形成后的原处金属化制程,其中从实施溅镀蚀刻清洗到高温溅镀沈积该氮化钛反反光射层之间的所有制程步骤皆在同一溅镀系统中完成,且始终维持真空状态。3.如申请专利范围第1项之一种金属矽化物形成后的原处金属化制程,其中该实施溅镀蚀刻清洗时,所使用的来源气体为氩离子气体。4.如申请专利范围第1项之一种金属矽化物形成后的原处金属化制程,其中利用高温溅镀沈积法形成该氮化钛阻障层时的设定温度约为450℃。5.如申请专利范围第1项之一种金属矽化物形成后的原处金属化制程,其中该实施退火处理时的温度约为450℃。6.如申请专利范围第1项之一种金属矽化物形成后的原处金属化制程,其中利用高温溅镀沈积法形成该氮化钛反反光射层时的设定温度约为375℃。7.如申请专利范围第1项之一种金属矽化物形成后的原处金属化制程,其中该金属矽化物层一钛金属矽化物层。8.如申请专利范围第1项之一种金属矽化物形成后的原处金属化制程,其中该介电层为一氧化层。9.如申请专利范围第1项之一种金属矽化物形成后的原处金属化制程,其中该金属层为一铝层。10.如申请专利范围第9项之一种金属矽化物形成后的原处金属化制程,其中该铝层是利用热铝技术溅镀沉积法所形成。图示简单说明:第一图是描述依据昔知技术之金属矽化物形成后之金属化制程的流程图;第二图是描述依据本发明一较佳实施例之金属矽化物形成后的原处金属化制程的流程图;以及第三图是描述依据本发明一较佳实施例之金属矽化物形成后的原处金属化制程的剖面图。 |
