| 主权项 |
1.一种极快速混合型非挥发快闪记忆体结构,其至少包括:一主位元线;一快闪记忆单元,包括复数个记忆胞电晶体,并且至少以一副位元线与复数条字元线定义该些记忆胞电晶体;一选择电晶体,其源极/汲极一端耦接该主位元线,另一端耦接该副位元线;一电流控制电晶体;以及一极快速动态记忆体,其源极/汲极一端耦接该副位元线,另一端耦接该电流控制电晶体之源极/汲极一端。2.如申请专利范围第1项所述之EM极快速混 EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一金多矽氧半导体记忆体。3.如申请专利范围第1项所述之EM极快速混 EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一多矽闸氧化层快闪记忆体。4.如申请专利范围第1项所述之EM极快速混 EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一金属氧氮氧半导体记忆体。5.如申请专利范围第1项所述之EM极快速混 EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一金属氮氧半导体记忆体。6.如申请专利范围第1项所述之EM极快速混 EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一金属氮半导体记忆体。7.如申请专利范围第1项所述之EM极快速混 EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一金属氧氮半导体记忆体。8.如申请专利范围第1项所述之EM极快速混 EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一铁电半导体记忆体。9.一种极快速混合型非挥发快闪记忆体之编码方法,该记忆体至少包括一主位元线、一记忆胞电晶体、一选择电晶体、一电流控制电晶体与一极快速动态记忆体,其中,该记忆胞电晶体经由一副位元线耦接该选择电晶体,该电流控制电晶体经由该极快速动态记忆体与该副位元线耦接该记忆胞电晶体;该编码方法至少包括:该选择电晶体"开",该主位元线之控制讯号写入该极快速动态记忆体;使该副位元线电压为0;该选择记忆体"关";该电流控制记忆体"开"导入一汲极编码电压,并设定该极快速动态记忆体的闸极电压为读取电压;若该极快速动态记忆体"关",则该副位元线电压为0,该记忆胞电晶体不进行编码;若该极快速动态记忆体"开",则该副位元线电压约为该汲极编码电压,该记忆胞电晶体进行编码;以及该电流控制电晶体"关"。10.如申请专利范围第9项所述之编码方法,其中该主位元线之控制讯号写入该极快速动态记忆体系改变该极快速动态记忆体的临限电压。11.一种极快速混合型非挥发快闪记忆体结构,其至少包括:一记忆胞电晶体;一选择电晶体;一电流控制电晶体;以及一极快速动态记忆体,其源极/汲极一端与该选择电晶体源极/汲极一端共同耦接该记忆胞电晶体之源极/汲极一端,其另一端耦接该电流控制电晶体之源极/汲极之端。12.如申请专利范围第11项所述之EM极快速混EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一金多矽氧半导体记忆体。13.如申请专利范围第11项所述之EM极快速混 EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一多矽闸氧化层快闪记忆体。14.如申请专利范围第11项所述之EM极快速混 EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一金属氧氮氧半导体记忆体。15.如申请专利范围第11项所述之EM极快速混 EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一金属氮氧半导体记忆体。16.如申请专利范围第11项所述之EM极快速混 EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一金属氮半导体记忆体。17.如申请专利范围第11项所述之EM极快速混 EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一金属氧氮半导体记忆体。18.如申请专利范围第11项所述之EM极快速混 EM合型非挥发快闪记忆体结构,其中该极快速动态记忆体系一铁电半导体记忆体。19.一种极快速混合型非挥发快闪记忆体之编码方法,该记忆体至少包括一极快速动态记忆体耦接一记忆胞电晶体;该编码方法至少包括:对该极快速动态记忆体编码;以及以该极快速动态记忆体的"开"或"关"决定是否对该记忆胞电晶体编码。20.如申请专利范围第19项所述之编码方法,其中更包括:若该极快速动态记忆体为"开",则对该记忆胞电晶体编码;以及若该极快速动态记忆体为"关",则不对该记忆胞电晶体编码。图示简单说明:第一图是习知一种DINOR快闪记忆体结构图;第二图是第一图DINOR快闪记忆体编码时记忆体电路操作偏压,以及副位元线之电压与电流关系示意图;第三图是第二图记忆体编码时记忆胞电晶体电压示意图;第四图是依照本发明一较佳实施例的一种极快速混合型非挥发快闪记忆体结构图;第五图是本发明较佳实施例的一种极快速混合型非挥发快闪记忆体阵列结构示意图;第六A图至第六E图分别绘示几种适用于本发明较佳实施例之极快速动态记忆体的结构剖面图;第七图是本发明较佳实施例快闪记忆体之编码方法流程图;第八A图是一种P通道记忆胞电晶体编码的脉冲电压波形模拟图;以及第八B图是一种N通道记忆胞电晶体编码的电压波形模拟图。 |
