| 主权项 |
1.一种半导体记忆体中用于资料位元之错误修正的方法,储存在记忆晶格中之给定数目的资料位元设有一组同位位元,此组同位位元允许对至少一个资料位元进行错误辨认及/或错误修正,其特征为:由每一记忆晶格(10)除了可读出逻辑位元资讯以外,亦可读出其类比电压値以作为储存在各记忆晶格(10)之逻辑位元资讯的错误机率之判定准则,且利用同位位元侦测到资料位元中之错误时,则资料位元之类比电压値偏离瞬间逻辑位元资讯之给定电压値最远之此种资料位元会被修正。2.如申请专利范围第1项之方法,其中记忆晶格(10)之类比电压値藉一个或多个比较装置(14)及/或类比-数位转换器来感测。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中设有测量装置以便感测记忆晶格之类比电压値,此测量装置在控制装置下切换至半导体记忆体之不同记忆晶格。4.如申请专利范围第1项之方法,其中资料位元以海明码之方式进行编码,其中同位位元之数目k及资料位元之数目m以公式2k>m+k+1来决定。5.如申请专利范围第1或第4项之方法,其中若在资料位元中侦测到错误,则需修正许多资料位元,即将修正之资料位元系在与其它资料位元比较时以具有较高之错误机率为基准而被选取。6.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中即将决定之类比电压値是以类比形式而被感测且被转换成数位形式而可作为数位数値。7.如申请专利范围第3项之方法,其中即将决定之类比电压値是以类比形式而被感测且被转换成数位形式而可作为数位数値。8.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中与记忆晶格之类比电压値相比较之给定电压値对逻辑"0"而言是记忆晶格之参考电位,对逻辑"1" 而言则是供应电位。9.如申请专利范围第3项之方法,其中与记忆晶格之类比电压値相比较之给定电压値对逻辑"0"而言是记忆晶格之参考电位,对逻辑"1" 而言则是供应电位。10.如申请专利范围第6项之方法,其中与记忆晶格之类比电压値相比较之给定电压値对逻辑"0"而言是记忆晶格之参考电位,对逻辑"1" 而言则是供应电位。11.一种半导体记忆晶片,系用于实现申请专利范围第1至10项中任一项之方法,其特征为具有;- 有用记忆体,其具有记忆晶格(10)以用于资料位元和同位位元,-解码装置(2),以便读出资料位元和同位位元,- 电压値感测装置(2a),用于感测记忆晶格(10)之电压値,- 错误修正单元(3),其系连接至解码单元(2)和电压値感测装置(2a),以及- 介面装置(3a),其系位于错误修正装置(3)之输出端以便提供已修正之资料位元和同位位元。12.如申请专利范围第11项之半导体记忆晶片,其中半导体记忆晶片是ROM记忆体。图示简单说明:第一图显示本发明之半导体晶片的方块图,其上具有电压値感测装置。第二图显示本发明之电压値感测装置之实施例的方块图。第三图显示逻辑位元资讯项之机率分布作为记忆晶格所测得电压値之涵数图。 |
